技术编号:6851040
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种,且特别是有关于一种可降低字元线阻值的。背景技术 记忆体元件是用以储存资料或数据的半导体元件。举例来说,目前有一种记忆体元件的结构是由呈阵列排列的记忆胞所构成,其中有配置在基底中的数条埋入式位元线、垂直于埋入式位元线并配置在基底上的数条字元线、在基底与字元线之间的闸氧化层。此外,在两相邻的字元线之间还设置有介电层,藉此互相作电性隔离。近来,半导体元件不断地朝小型化发展,记忆体元件也随着积体电路积集度的提高而逐渐缩小。因此,记忆体元件中的字...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。