技术编号:6851825
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体元件,特别是有关于一种具有纳米线的半导体元件。背景技术 金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)是一种普遍应用于极大规模集成电路(ultra large scale integrated circuit,ULSI circuit)的元件,尤其在市面上的集成电路晶片(chip)产品更是不时可以发现它的存在。对于愈来愈快速的电路运算速...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。