技术编号:6852347
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种由III-V族氮化物半导体构成的半导体器件,特别是涉及具有高耐压的场效应型的。背景技术 III-V族氮化物半导体,即,氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)和氮化铟等一般式用AlxGa1-x-yInyN(其中,0≤x≤1、0≤y≤1)表示的混合晶体,人们不仅在研究利用作为其物理特征的宽的能带隙和直接跃迁型的能带构造将其应用于短波长光学元件,而且,因其具有高的破坏电场和饱和电子速度,人们还在研究将其应用于电子器件。特别是,利用在半绝缘性衬底之上依次...
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