技术编号:6852567
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别是涉及一种具有在同一芯片上形成不同的栅极氧化膜时、通过在要进行栅极氧化之前采用具有氮化膜等耐氧化性的膜覆盖各元件区域、以图提高元件的可靠性特别是元件分离特性的元件分离绝缘膜的半导体装置的制造方法。一般,在搭载绝缘栅型场效应三极管(MOS三极管)的MOS半导体装置中,需要在同一半导体装置内具有耐压可靠性高的高耐压元件和为高速信息处理的要高速性的低耐压元件的情况下,在高耐压元件中,有必要将栅极氧化膜以及场氧化膜的厚度加厚。而另一方面,在低耐...
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