技术编号:6852985
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别涉及具有电阻器和MIS晶体管的。背景技术 在模拟半导体装置中,除CMIS晶体管外,还搭载有由多晶硅膜的电阻材料而构成的电阻器。在该模拟半导体装置中,要求CMIS晶体管高速化、低耗电化,要求电阻器中电阻值的正确控制和稳定性(例如,参照专利文献1)。近年来,随着电阻器的高精度化,在热处理中的杂质的自动掺杂所引起的电阻值的变动已逐渐成为问题。该问题,是在通过离子注入形成作为MIS晶体管的源极·漏极区域的高浓度杂质扩散层后、进行用于活性化离子注...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。