技术编号：6852994
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，特别涉及回避或控制因加工时的充电而产生的损坏的。背景技术 近年来，随着非易失性半导体存储装置的高集成化，存储单元尺寸逐渐缩小，为适应这种情况提出过很细的栅电极即字线。然而，如果使字线细长，字线电阻就高，字线的信号延迟也就更大。因此发生难以高速工作的问题。于是，作为减少字线电阻的方法，能够想到利用Self Align Silicide技术(以下，称为自我对准金属硅化物技术)，但是当把自我对准金属硅化物技术用到非易失性半导体存储装置中的时候，为...
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