技术编号：6853196
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性存储器器件技术，具体涉及浮置栅。背景技术已经通过减少器件的单元阵列区内的有源区和隔离膜的尺寸来提高非易失性存储器器件的集成密度和存储容量。制造上述器件的一个方法使用自对准多晶硅制造工艺。可以通过使用自对准多晶硅制造工艺在限制在相邻的器件隔离膜之间的区域上形成浮置栅图案来减少存储器件的电路面积。标题为″在闪存单元中形成自对准浮置栅的方法″的美国专利No.6,656,793公开了通过自对准多晶硅制造工艺增大浮置栅图案的表面面积的方法。在限定在...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。