技术编号:6853498
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储器件,尤其涉及DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)。背景技术 DRAM的存储单元一般由一个存储单元晶体管和一个存储单元电容器构成。另外,配置多个该存储器单元来构成存储单元阵列。各存储单元电容器的一个电极与存储单元晶体管连接。极板电位供给到各存储单元电容器的另一个电极上。另外,DRAM具有极板电位发生电路(VPL发生电路)。通过板线连接极板电位发生电路和各存储单元电容器。该极板电位产生电...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。