技术编号:6853702
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于化合物半导体,特别是指发明一种砷化镓(GaAs)基单片集成增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的栅制作工艺。背景技术 高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有迄今为止的最高单位电流增益截止频率和最低噪声系数。然而到目前为止,在应用高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的电路设计中,只有耗尽型HEMT器件得到广泛的使用,例如传统的缓冲场效应管逻辑电路(BFL)或源耦合场效应管逻辑电路(SCFL)应用在实际的电路设计中,由于在这些电路中采用耗尽...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。