技术编号:6854043
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及图像传感器;并且更具体地,涉及具有三维集成结构的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件及其制造方法。背景技术 图像传感器是将光学图像转换成电信号的半导体器件。在图像传感器中,电荷耦合器件(CCD)是电荷载流子存储于其中并由于各个金属-氧化物-硅(MOS)电容器彼此紧密设置而转移到电容器的器件。同时,互补金属-氧化物-硅(CMOS)图像传感器使用CMOS技术,该技术利用控制电路和信号处理电路作为外围电路。CMOS图像传感器采用使MOS晶体管与像素数一...
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