技术编号:6854202
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于磁随机存取存储器(MRAM)。背景技术 由于磁随机存取存储器(MRAM)高速、耗电低、而且具有极优良的非易失性、重写耐性,所以被期望作为替代DRAM、闪存器的新一代高性能存储器,国内外各公司都在进行其实际应用化的研究开发。这种MRAM通常是利用隧道磁阻(TMR)效果的存储器,由于为了实现高速化、高可靠性,改善TMR比是必不可少的,所以对于赋予高TMR比的材料构成、制膜法等的研究非常盛行。在MRAM的存储部采用如图1所示的TMR元件。该元件采用以...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。