技术编号:6854534
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于电功率转换器及这种半导体器件的绝缘栅半导体器件。本发明涉及该绝缘栅半导体器件的制造方法。背景技术 在开发显示低耗电量的电功率转换器期间,要求在电功率转换器中起重要作用的功率器件显示出低耗电量。在这些功率器件中,使用了绝缘栅双极晶体管(下文称为“IGBT”),因为IGBT由于其电导调制效应而便于实现低导通状态压降并因为IGBT是通过控制施加于其栅极上的电压容易地驱动的。近来,槽IGBT的应用领域越来越多。槽IGBT具有槽结构,包括从晶片表面形成...
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