技术编号：6854542
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。背景技术方法本发明通常涉及双镶嵌半导体制备方法，尤其涉及，在半导体制备方法中平面化部件和层的方法和系统。2、相关技术的描述双镶嵌制备方法在半导体制备中正在变得越来越普遍。在一个常用的双镶嵌制备方法中，先将一种或多种导电材料沉积于被组成图案的沟槽和通道中以形成所期望的电路互连，沟槽和通道形成于半导体基片或形成于半导体基片上的膜中。经常形成此导电材料的多余或过量部分。此导电材料的过量部分是多余的且不合需要的，并且为了制造镶嵌特征和为了随后步骤提供平坦的表面其必...
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