技术编号:6854749
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,更具体而言,本发明涉及一种其中利用具有不同能量间隙的多个介电层形成隧道氧化层的非易失存储器件及其制造方法。背景技术 一般地,半导体存储器件可以分为易失存储器件和非易失存储器件。易失存储器件可以是动态随机存取存储器(DRAM)或静态随机存取存储器(SRAM)。如果将电力提供到易失存储器件,那么可以将数据输入该器件或从该器件输出。但是,如果中断了电力供给,则数据丢失。比较而言,即使中断了电力供给,非易失存储器件仍能保持数据。闪存器件是一种代表性...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。