技术编号:6854918
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明,涉及一种,特别是涉及一种结合深度浅且具有低电阻的扩散层、并且可微细化的MIS型。背景技术 伴随着半导体集成电路的高度集成化,要求MIS型晶体管的微细化,为了实现该微细化,需要结合深度浅且具有低电阻的沟道扩散层的MIS型晶体管(例如,参照专利文献1)。下面,参照附图说明具有以往的MIS型晶体管的半导体装置的制造方法。图13(a)~图13(e),以工序顺序表示现有的半导体装置的制造方法。首先,如图13(a)所示,在由P型硅构成的半导体基板100上,离子...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。