技术编号:6854954
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种非挥发性记忆体,且特别是有关于一种利用持续充电模式设定储存状态的。背景技术 请参照图1,其绘示是习知一种AG-AND型式记忆体的示意图,此AG-AND记忆体100是利用电流Id由Vd端流向Vs端时,会顺势将电子注入储存于记忆体100的Floating Gate(FG)端内,以完成记忆体的储存设定动作。而此AG-AND记忆体100与一般晶体管的最大不同之处,就是其闸极端共包含了两个控制端,分别是WL端与AG端,因此当AG-AND记忆体100...
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