技术编号:6855641
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造半导体衬底的方法,特别涉及制造具有抬高的源和漏区的晶体管。集成电路制造技术一直力求增大电路密度,并因此减小场效应晶体管的尺寸和沟道长度。技术上的改进引起了场效应晶体管尺寸的减小,器件从长沟道器件(即,一般大于2微米的沟道长度)变为短沟道器件(即,一般小于2微米的沟道长度)。由于场效应晶体管沟道长度(即,栅宽)变得小于约3微米,所谓的短沟道效应开始变得越来越严重。结果,考虑到这些效应,不得不改进器件设计和相应的工艺技术,以便不断得到优化的器...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。