技术编号:6855796
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件及其布线方法,更具体地,涉及一种优选地用于存储器中的位线控制电路的半导体器件以及用于这种半导体器件的布线方法。背景技术 静态随机访问存储器(SRAM)是一种可高速运转的半导体存储器,并且因此被广泛用作中央处理单元(CPU)内的寄存器或者高速缓冲存储器。近年来,对于存储器的更大存储容量和更快读取的需求正在不断增长。SRAM中的每个存储器单元与一个字线和一个位线对BL及BLB相连,并且当将所述字线设定为“1”时,经由所述位线对BL及BLB读...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。