技术编号:6856033
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置,具体地说,涉及IGBT(绝缘栅双极晶体管Insulated Gate Bipolar Transistor)。背景技术 近年,作为升降机或泵等使用的电力变换电路,AC矩阵式变换器备受注目。AC矩阵式变换器中使用双向开关,作为该双向开关,可由2个IGBT反并联构成。双向开关中使用的IGBT具有双向耐压(以下,双向耐压的IGBT称为「逆耐压IGBT」。)。由AC矩阵式变换器中使用的IGBT构成的双向开关中,一个逆耐压IGBT在导通状态下电...
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