技术编号:6856097
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,尤其涉及一种能增进半导体元件操作性能的。背景技术 在目前的现有技术中,制造金属氧化物半导体元件的栅介电层的方法,首先利用离子注入法于一衬底中形成一个井区。接着,会对衬底进行一快速热退火工艺,以弥补离子注入时所产生的晶格缺陷。然后,进行一个清洗工艺,再于衬底上形成一层栅介电层。然而,快速热退火工艺是于清洗工艺之前进行,在尚未以进行清洗工艺除去原生氧化层的情况下,对于晶格缺陷的弥补效果较差,会降低后续形成于衬底上的栅介电层的品质。另一方面,在半...
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