技术编号:6856172
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种包括一电阻器和一晶体管的非易失存储器件。背景技术 优选的半导体存储器件具有高集成度,即,每单位面积包括的大量的存储单元,以高速操作,且可以以低功率驱动。因此,已经作出了许多对于这样的优选的半导体存储器件的研究,且各种类型的存储器件在开发中。一般地,半导体存储器件包括许多连接在一起的存储单元。在作为代表性的半导体存储器件的动态随机存取存储器(DRAM)中,存储单元一般包括开关和电容器。DRAM具有一些优点,为高集成度和快速操作。但是,在关闭之后...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。