技术编号：6856402
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有位线扭曲结构的半导体存储器的预烧测试(burn-intest)方法，在位线扭曲结构中，位线相互交叉。背景技术 诸如DRAM之类的半导体存储器已被用作诸如移动电话之类的便携式设备的工作存储器。近年来，移动电话除了允许用户进行语音通信以外，还允许用户发送字符串数据或图像数据并访问因特网。移动电话所处理的数据量正迅速地增大。因此，需要具有大容量的半导体存储器。为了在不增加成本的前提下增大半导体存储器的存储容量，存储器销售商正试图减小器件结构的尺寸。...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。