技术编号:6856852
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关于一种半导体元件,特别有关于双栅极MOS(金属氧化物半导体)元件。背景技术 双栅极MOS元件近年来引起高度的关注,因其具有减少短沟道效应的能力。未来十年MOS元件尺寸将会持续缩小。随着元件尺寸的降低,平面元件的物理限制将会到达极限,因此短沟道效应将会成为一个问题。对于次50nm元件而言,双栅极元件为解决短沟道效应中最具前景的一种设计,因此近年来双栅极结构吸引了众人的目光。在双栅极元件中,两个通以偏压的栅极平行排列,在两侧硅层上形成反转沟道,若硅层...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。