技术编号：6857388
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具备浮置栅极电极和控制栅极电极的。背景技术 以往以来，作为半导体存储器之一提出了具备浮置栅极电极FG和控制栅极电极CG的非易失性半导体存储器件。这种非易失性半导体存储器件，如图19所示，在浮置栅极电极FG、电极间绝缘膜208、以及控制栅极电极CG被加工成所期望的形状后，利用氧化法在整个面上形成栅极侧壁氧化膜212。但是，在形成栅极侧壁氧化膜212时，会在电极间绝缘膜208的上端部和下端部形成被称为所谓的鸟喙的厚膜的鸟喙氧化区域213。因此，会使电...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。