技术编号:6859880
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种太阳电池的结构,特征别是有关于一种采用N型单晶硅片为基体制造的太阳电池。背景技术当前世界上太阳电池制造工厂,都采用P型硅单晶片为基体,制造单晶硅太阳电池,而没有采用N型硅单晶片为基体,制造单晶硅太阳电池。发明内容为解决前述问题,本实用新型提供一种N型基体单晶硅太阳电池;本实用新型的太阳电池结构,从上面向下面各层依次是上电极/氮化硅减反射膜/P+扩散层/N型单晶硅片/N+/背电极;其中氮化硅减反射膜厚度约为0.75um,P+扩散层的厚度约为...
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