专利名称：N型基体单晶硅太阳电池的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种太阳电池的结构，特征别是有关于一种采用N型单晶硅片为基体制造的太阳电池。
背景技术：
当前世界上太阳电池制造工厂，都采用P型硅单晶片为基体，制造单晶硅太阳电池，而没有采用N型硅单晶片为基体，制造单晶硅太阳电池。
发明内容
为解决前述问题，本实用新型提供一种N型基体单晶硅太阳电池；本实用新型的太阳电池结构，从上面向下面各层依次是上电极/氮化硅减反射膜/P+扩散层/N型单晶硅片/N+/背电极；其中氮化硅减反射膜厚度约为0.75um，P+扩散层的厚度约为0.2-0.25um，薄层电阻约20Ω-cm，N+层厚度约为5-10um，N型单晶硅片电阻率＞0.5Ω-cm。
本实用新型的优点是，其生产出的太阳电池效率和完全用P型基体制成的太阳电池一样，开创了使用N型基体单晶硅太阳电池的应用领域。
附图是本实用新型N型基体单晶硅太阳电池的结构示意构图。
附图中标号说明1-，N型硅片，2-P+层，3-N+，4-SIN4氮化硅减反射膜，5-背电极(-)，6-上电极(+)具体实施方式
请参阅附图所示，本实用新型采用固态硼源和固态磷源在扩散炉中一次性形成P+层，N+层解决了高效N型基体单晶硅太阳电池制造工艺中的一个关键技术问题；采用特制银浆来印制背电极5(负极)和上电极6(正极)，其特点是分别使用两种不同掺杂的银浆分别制造上电极5和背电极6，背电极5的银浆掺有少量磷，上电极6的银浆掺有少量的硼。这样才能和N+层和P+层形成良好的欧姆接触，提高电池的效率。
阳光从电池的正面入射，由于在空气和P+层硅之间有一层氮化硅减反射膜4，使得极大多数太阳光能入射到N型硅片1中，并产生电子空穴对，电子空穴对被N-P+形成的空间电荷区的强电场所分离，分别在P+区和N区形成光生电流，如果用导线将上电极6正极和下电极5负极引出，就可以作为一个能发电的电池。本实用新型中还有一个特殊的结构就是在电池背部有一层N+硅层，它和N型硅片形成N+/N结，它的作用是提高电池的开路电压和增加电池对长波光的有效吸收，从而达到提高电池效率的目的。
权利要求1.一种N型基体单晶硅太阳电池，其特征在于，N型基体单晶硅太阳电池的结构，从上面向下面各层依次是上电极/氮化硅减反射膜/P+扩散层/N型单晶硅片/N+/背电极；其中氮化硅减反射膜厚度为0.75um，P+扩散层的厚度为0.2-0.25um，薄层电阻20Ω-cm，N+层厚度为5-10um，N型单晶硅片电阻率＞0.5Ω-cm。
专利摘要本实用新型涉及一种N型基体单晶硅太阳电池采用N型硅单晶片为基体，制造太阳电池，其生产出的太阳电池效率和应用完全和用P型基体制成的太阳电池一样；本实用新型的太阳电池结构，从上面向下面各层依次是上电极/氮化硅减反射膜/P
文档编号H01L31/04GK2888652SQ200520043749
公开日2007年4月11日 申请日期2005年7月25日 优先权日2005年7月25日
发明者胡宏勋, 郑君 申请人:胡宏勋, 郑君