技术编号:6860872
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件,特别是一种可增加有效使用面积的具有六角堆积结晶结构的,该方法可提高半导体元件切割的合格率。目前现有制造发光半导体元件的半导体材料有多种,可外延生长于三氧化二铝或碳化硅衬底上的氮化镓半导体为其中一种,其主要应用在发光二极管(LED)和激光二极管(LD)等光电元件,以及宽能带高温高功率晶体管上。此外,氮化镓半导体蓝光LED和激光二极管可结合目前已有的磷化铝镓铟红色及黄色发光二极管而组成全彩的彩色显示器。而且,因为发光二极管具有低耗能、...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。