专利名称：半导体元件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体元件，特别是一种可增加有效使用面积的具有六角堆积结晶结构的半导体元件及其制造方法，该方法可提高半导体元件切割的合格率。
目前现有制造发光半导体元件的半导体材料有多种，可外延生长于三氧化二铝或碳化硅衬底上的氮化镓半导体为其中一种，其主要应用在发光二极管(LED)和激光二极管(LD)等光电元件，以及宽能带高温高功率晶体管上。此外，氮化镓半导体蓝光LED和激光二极管可结合目前已有的磷化铝镓铟红色及黄色发光二极管而组成全彩的彩色显示器。而且，因为发光二极管具有低耗能、发光效率佳、不需启动器以及寿命长等优点，因此，未来更可利用发光二极管产生白光做为照明设备而取代传统的日光灯照明。但，目前氮化镓发光二极管在制作中仍存在有多项困难，以致所生产的元件往往效率不高，且因为元件切割合格率低，无法获得改善，造成产量一直无法提高。
目前氮化镓发光二极管的制造过程大致可分为前段、中段及后段包装等三个部分。前段主要以金属有机化合物化学气相淀积法或者分子束外延法在三氧化二铝或碳化硅衬底上生长n型和p型氮化镓薄膜，中段程序则是以光刻技术规划出n型氮化镓区域，接着以乾式蚀刻方法，由表面垂直向下蚀刻至n型氮化镓薄膜，然后，再分别以微影技术规划出n型和p型氮化镓的金属薄膜区域，并在表面镀上薄的金属薄膜，接着，以快速升温退火系统做热处理。最后，元件进入后段程序，做晶粒切割、连接金属线及元件封装。
由于发光二极管的发光功率决定于多个制造程序，除了金属有机化合物化学气相淀积法及p型和n型氮化镓薄膜品质与结构外，还有金属-半导体的欧姆接触特性，以及p型和n型氮化镓的接面或其介面间的主动区面积，因为接面或主动区面积越大，其发光功率即越高，主要又以晶粒切割方式和p-n型氮化镓的接面图形决定p型和n型氮化镓的接面(或主动区)面积。如
图1所示，其为以往一种切割晶片(晶体圆片)的方式，也是一般最常见的切割方式，是以90°角对晶片1做正方形切割，故一般所看到的晶粒10大都呈正方形，但是，因为，氮化镓半导体的结晶结构为六角堆积结晶形，若同样以90°切割方式对氮化镓半导体晶片进行切割时，则会因氮化镓半导体的六面堆积结晶特性，使得90°切割的切割线并非顺着氮化镓半导体的六角结晶面边缘划过，而易于切割过程中产生切割线歪斜现象，如图2中所示，其为一实际拍摄的现有90°角切割氮化镓半导体时，所切出晶粒的切割边缘放大1000倍照片，由照片中可以看到该晶粒的切割边缘11凹凸不平，平整度非常差，因此，容易产生如图1中放大部分所示，因为晶粒的切割边缘11歪斜现象使得相邻的元件晶粒10遭受到破坏，以至在晶片切割过程中产生许多晶粒参差不齐，且破损的现象，造成产品合格率往往不佳。因此，为了避免上述情况发生，以能提高合格率，即必需增加切割线的线宽，但这样会使得能够安排在晶片上的元件晶粒数目减少，造成元件晶粒产量无法提高。此外，目前虽已经开发出更精密的晶片切割技术，可将诸如氮化镓这类六角堆积结晶结构的半导体晶片切割得非常平整，但是，由于该种精密切割仪器的造价十分昂贵，即使半导体业者想要使用，但基于生产成本的考虑，也难以被广泛采用。
本发明的主要目的在于提供一种合格率高的具有六角堆积结晶结构的半导体元件及其制造方法，并可增加半导体元件的有效使用面积。
为达到上述目的，本发明采取如下技术措施本发明具有六角堆积结晶结构的半导体元件及其制造方法，主要特征是在于针对具有六角堆积结晶结构的半导体晶片衬底，根据其结晶结构，规划出与其结晶面对应的菱形晶粒，使得沿该晶片的结晶面方向对该等菱形晶粒进行菱形切割时，可切出平整度良好的菱形半导体晶粒，而改善半导体元件晶粒的良率及产能，并借由将电极分别设在菱形半导体晶粒的两相对锐角处，可增加半导体元件的有效使用面积，以达到提高半导体元件效能。
本发明采取如下具体结构及步骤本发明的半导体元件，包括衬底、形成于衬底上的第一导电型半导体区域、第一电极及第二电极；具有六角堆积结晶结构，并根据六角堆积结晶面对应切割形成的菱形衬底；还包括形成在第一导电型半导体区域的部分区域上的第二导电型半导体区域；形成于第一导电型半导体区域的除了上述第二导电型半导体区域外的其他区域上的至少一第一接触区；形成于第二导电型半导体区域上的至少一第二接触区；第一电极设于第一接触区上；第二电极设于第二接触区上；菱形衬底、第一导电型半导体区域及第二导电型半导体区域由具有相同六角堆积结晶结构的半导体材料构成。
其中所述菱形衬底具有两个呈60°的相对锐角及两个呈120°的相对钝角。
本发明的半导体元件的制造方法，包括下列步骤a、提供一晶体圆片衬底，衬底上形成第一导电型半导体区域及在第一导电型半导体区域上形成的第二导电型半导体区域所构成的半导体层，且该衬底及第一、第二导电型半导体区域为具有相同六角堆积结晶结构的半导体材料；b、根据步骤a的晶片结晶面方向，于晶片上定义复数个由至少一第一接触区及与该第一接触区相邻的至少一第二接触区所构成的菱形区块；c、将位于各菱形区块中的第一接触区内的第二导电型半导体区域去除，使第一导电型半导体区域的一部分露出；d、在各菱形区块中露出第一导电型半导体区域的一部分的第一接触区上形成第一电极；e、在各菱形区块中保留第二导电型半导体区域的第二接触区上形成第二电极；f、沿该等菱形区块的边线进行切割程序，即可获得菱形半导体元件晶粒。
下面通过实施例及附图对本发明具有六角堆积结晶结构的半导体元件及其制造方法进行详细说明，附图中图1为现有一种以90°角切割的晶片及该晶片的部分放大示意图。
图2为现有以90°角切割氮化镓半导体晶片所产生切割线的放大示意图。
图3为本发明具有六角堆积结晶结构的半导体元件的一实施例的层状结构示意图。
图4为本发明具有六角堆积结晶结构的半导体元件的一实施例的表面示意图。
图5为本发明具有六角堆积结晶结构的半导体元件制造方法的第一实施例的制造程序示意图。
图6为本发明具有六角堆积结晶结构的半导体元件制造方法的第一实施例的表面示意图。
图7为本发明具有六角堆积结晶结构的半导体元件制造方法的第一实施例中晶片做60°及120°切割时所形成的菱形晶粒的示意图。
图8为本发明具有六角堆积结晶结构的半导体元件制造方法的第一实施例中菱形晶粒切割边缘的放大图。
如图3及图4所示，其为本发明一实施例具有六角堆积结晶结构的半导体元件2的层状结构剖面示意图及其表面示意图，半导体元件2由下而上主要包括有一菱形衬底21、一形成在整个菱形衬底21上的第一导电型半导体区域22、一形成于第一导电型半导体区域22的一部分区域上的第二导电型半导体区域23、一形成于该第一导电型半导体区域22的除了上述第二导电型半导体区域23外的其他区域221上的第一接触区223、一形成于该第二导电型半导体区域23上的第二接触区233、一形成于第一接触区223上的第一电极24以及一形成于第二接触区233上的第二电极25等部分。
在本实施例中，菱形衬底21为具有六角堆积结晶结构的三氧化二铝或碳化硅半导体基材，且其菱形形状是对应其六角堆积结晶面所切割形成，并具有呈60°的两相对锐角及呈120°的两相对钝角。且于菱形衬底21与第一导电型半导体区域22之间长有一氮化铝缓冲层26。
第一导电型半导体区域22为一n型氮化镓(GaN)半导体区域，其包括在下层的一n-GaN层221及在上层的一n+-GaN层222，且如图3及图4所示，在本实施例中，第一导电型半导体区域22未被第二导电型半导体区域23所覆盖的部分区域(n-GaN层)221包括位于菱形衬底21一锐角211处的三角形区域以及由三角形区域两端往外沿菱形衬底21周缘延伸至另一锐角212处的环形区域(以下简称环形区域221)，第一接触区223则形成于环形区域221上，并于其上镀有一厚约200A 的金属接触薄膜层(图中未示)，然后，再将厚约1～2μm的第一电极24形成于第一接触区223上，而形成一外环状n型电极区，使得流经其上的电流能够平均分布而降低电阻，并提高传导速度。
而该第二导电型半导体区域23位于该菱形衬底21的除了该第一导电型半导体区域的露出区域(环形区域)221以外的其他区域，其为一p型氮化镓半导体区域，包括有在下层的一p-GaN层231及在上层的一p+-GaN层232，且形成于其上的第二接触区233上镀有一厚约200的金属接触薄膜层(图中未示)，然后再将厚约1～2μm的第二电极25形成于第二接触区233上，且在本实施例中，第二电极25在第二接触区233上所形成的区域包括位于菱形衬底21的另一锐角212处的三角形区域以及由该三角形区域往外沿第二接触区233内周缘环绕延伸的环形区域(以下简称内环形区域25)，而使该第二电极25成为一内环状p型电极区，同样地，此一环状电极设计可使流经其上的电流能够平均分布而降低电阻，并提高传导速度。此外，借由将两电极24、25以环状电极的方式形成在菱形衬底21的周围及尖端，可增加半导体元件2的p-n接面(或主动区)面积，使得半导体元件2被应用做为LED或LD等发光元件时，可因其p-n接面面积(发光面积)的增加，而提高其发光效率。而且，因为菱形半导体元件2的四个边缘是对应其本身六角结晶面(100)的方向，故其边缘(切割线)会具有较佳的平整度。最后，在两电极24、25上连接金属线27，即成为一个完整的菱形半导体元件2。
另外，在此要说明的是，本实施例中该菱形半导体元件2设计成具有60°锐角及120°钝角仅为本发明的实施例而已，并非限制本发明的实施范围。
接下来将对上述具有六角堆积结晶结构的半导体元件2制造过程作进一步说明。请一并参阅图5及图6，其为本发明一实施例具有六角堆积结晶结构的半导体元件2制造方法的制造程序的示意图，以及形成在晶片衬底21上的各菱形区块2的表面示意图。如图5中的A图所示，第一步骤提供一个具有六角堆积结晶结构的三氧化二铝或碳化硅材料所制成的晶片衬底21，并于衬底21上先生长一氮化铝缓冲层26，然后，在其上外延生长一第一导电型半导体区域22，且在本实施例中，第一导电型半导体区域22为一n型氮化镓(GaN)半导体区域，其包括在下层的一n+-GaN层221及在上层的一n-GaN层222。接着，再生长一第二导电型半导体区域23，其为一p型氮化镓半导体区域，包括在下层的一p-GaN层231及在上层的一p+-GaN层232，且上述晶片衬底21、缓冲层26及各GaN半导体层22、23为具有相同六角堆积结晶结构的半导体材料。
接着，进行第二步骤，如图6所示，根据上述第一步骤中所形成半导体晶片的结晶面(100)方向，在晶片上定义数个由一第一接触区223及与第一接触区223相邻的一第二接触区233所构成的菱形区块2，且各菱形区块2具有呈60°的两相对锐角及呈120°的两相对钝角，使得各菱形区块2的边缘可对应于晶片的(100)结晶面，这样，设计的目的是当以此120°角及60°角切割晶片上的该等菱形区块2时，正好沿晶片的结晶(面)角度切割，可使得切割出来的半导体元件晶粒较为平整均匀。本实施例中，第一接触区223包括位于菱形区块2的一锐角211处的三角形区域以及由三角形区域两端往外沿菱形区块2周缘延伸至另一锐角212处的环状区域；而第二接触区233则为在菱形区块2上除了该第一接触区(环状区域)223以外的其他区域。接着，进行第三步骤，如图4及图5B所示，其为使用乾式蚀刻法对晶片上的每一菱形区块2中的第一接触区223进行蚀刻，以将位于该处的第二导电型半导体区域23(p+-GaN层231、P-GaN层232)及第一导电型半导体区域22的一部分(n-GaN层222)去除，使第一导电型半导体区域22的一部分(n+-GaN层221)露出，然后，以光掩模曝出光致抗蚀剂覆盖p+-GaN层232及n+GaN层221的裸露面，再以SiO2或Si3N4(绝缘层)覆盖其交接处，将光致抗蚀剂去除后即得如图5中图B所示的p-n接面。
接着，进行第四及第五步骤，以光掩模曝光光致抗蚀剂在晶片的各菱形区块2的第一接触区223(n+-GaN层221的开口)上及第二接触区233(P+-GaN层232)上制成金属接面图形，以分别在第一接触区223及第二接触区233上镀一厚约100的金属接触薄膜层做为欧姆接触的接触层(图中未示)，然后，如图4及图5的图C所示，在第一接触区(外环状区域)223上再形成厚约1～2um的第一电极24，即形成一环状n型电极，并于第二接触区233上形成厚约1～2um的第二电极25，且于本实施例中，第二电极25包含位于菱形区块2的另一锐角212处的三角形区域以及由该三角形区域往外沿第一接触区223内周缘环绕形成的环形区域，而成为一环状p型电极，且本发明将两电极24、25设计成一外环状电极及一内环状电极，可使流经其上的电流能够平均分布而降低电阻，并提高传导速度，且借由将两电极24、25以环状电极的方式形成在菱形衬底21的周围及尖端，可增加菱形区块2的p-n接面(或主动区)面积，使得由菱形区块2产制出的晶粒被应用做为LED或LD等发光元件时，可因其p-n接面面积(发光面积)的增加，而提高其发光效率。然后，在各该电极24及25连接上金属线27，即完成一菱形p-n接面元件。
最后，进行第六步骤，对经由上述步骤所形成的晶片进行背面打薄研磨程序，然后，以钻石刀沿该等菱形区块2边缘以60°及120°角进行晶片切割，即得到如图7所示的晶片，在晶片上形成菱形晶粒区块2的切割图形，再经由折裂步骤，即可获得具有良好边缘平整度的菱形半导体元件晶粒2。如图8所示，其为一个实际拍摄沿晶片的结晶面方向做60°角及120°角切割时，所获得菱形半导体元件晶粒2的尖端及边缘切割线放大1000倍图形，显示出切割边线28非常平整。此外，由于本发明以60°及120°切割方法，容易将晶粒切割得非常平整，故晶片不须被打得很薄即可被轻易折裂。而当上述晶片切割完成后，即可对该等被切出的菱形晶粒2进行接线及封装(用环氧树脂)程序，而形成一个氮化镓半导体元件(如发光二极管)成品。
由上述实施例可知，本发明根据半导体材料的结晶特性，选择具有相同结晶结构(六角堆积结晶型)的半导体材料制作半导体晶片衬底21，然后根据晶片衬底21的结晶面方向，在晶片上规划晶粒的第一接触区223(n型区域)及第二接触区233(p型区域)，以由该第一接触区223及第二接触区233构成一具有60°角及120°角的菱形区块2，并使菱形区块2的边线对应于晶片的结晶面方向，使当以60°角及120°角对晶片进行切割时，能使切下的菱形晶粒边缘具有较佳的平整度，而不致在切割过程中遭受破坏，并因而提高晶粒的切割合格率。此外，因为此方法的切割线平整度佳，可使设于晶粒间的切割线宽度能够适当缩小，使得在晶片上可以安排的晶粒数目得以增加，进而提高晶粒的产量。
另外，本实施例将第一接触区223设计为一环绕菱形区块2周缘的外环状区域，使形成其上的第一电极24成为一环状电极，并使在第二接触区233上的第二电极24也形成为一环绕第二接触区233内周缘的内环状电极，使得在该等电极24、25中的电流能平均分布而降低其电阻，进而提高传导速度，并借由将该等电极24、25以环状电极的方式形成在菱形区块2的周围及尖端，可增加菱形区块2的p-n接面(或主动区)面积，使由菱形区块2所制成的菱形半导体元件的有效主动区(或p-n接面)面积得以增加，以当其被应用做为LED或LD等发光元件时，可借由其p-n接面面积(发光面积)的增加，提高其发光效率。
再者，在此值得一提的是，使用现有90°切割方法时，为利于晶片切割，会先将晶片抛光打薄至约100μm的厚度再进行切割，产生的晶粒材质十分脆弱，容易因接线时力量不均匀或太大而压碎晶粒，但是，当晶粒的厚度在200μm以上时，则无此方面的顾虑。而本发明利用120°及60°切割方法的另一优点是，因为在晶片上的晶粒皆沿晶片的结晶面方向(即120°及60°)而形成，较容易被切割，所以在进行晶片切割前，所需研磨抛光的程序可以被减少，而使切割后的晶粒厚度可大于200μm以上，使得晶粒于接线封装时，不易因接线压力不匀或太大而破碎。
此外，为使切割晶粒的平整度更佳，在第六步骤，晶片切割之前可再加上一道程序，其做法为在晶片进行切割前，先在晶片表面镀上一层1～3μm厚的金属层，然后，利用光刻技术在菱形晶粒四个边缘上开设一凹沟，目的是以金属层做为蚀刻切割线时的光掩模，然后置入以氯气做为蚀刻元素的环境中，因为金属与GaN的蚀刻率大约是110，故以0.1～0.6μm厚的金属层做为光掩模，则可蚀刻的GaN层厚度即可达1～6μm，利用此法，可将位于切割线上的GaN层以乾式蚀刻方式全部去除，其功能相当于以钻石刀在晶片上划线的效果，这样，可使后续的晶片切割更为容易且平整。且可做为该光掩模的金属则有Pt(白金)、Au(金)、Al(铝)及Ni(镍)等。
与现有技术相比，本发明具有如下效果由于本发明利用氮化镓半导体及其衬底材料三氧化二铝或碳化硅的相同六面堆积结晶特性，沿其结晶面方向规画晶粒的第一接触区(n型接触区)与第二接触区(p型接触区)而构成一具有120°角及60°角的菱形区块，使得进行晶片切割时，能有效改善其切割平整度而提高切割合格率，可提高晶粒的产量；并且借由在各菱形区块中适当规划第一接触区及第二接触区，以及利用形成于各接触区上的第一及第二环状电极，可使半导体元件的面积作最有效的使用，而提高半导体元件的效率。
权利要求
1.一种半导体元件，包括衬底、形成于衬底上的第一导电型半导体区域、第一电极及第二电极；其特征在于具有六角堆积结晶结构，并根据六角堆积结晶面对应切割形成的菱形衬底；还包括形成在第一导电型半导体区域的部分区域上的第二导电型半导体区域；形成于第一导电型半导体区域的除了上述第二导电型半导体区域外的其他区域上的至少一第一接触区；形成于第二导电型半导体区域上的至少一第二接触区；第一电极设于第一接触区上；第二电极设于第二接触区上；菱形衬底、第一导电型半导体区域及第二导电型半导体区域由具有相同六角堆积结晶结构的半导体材料构成。
2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于所述菱形衬底具有两个呈60°的相对锐角及两个呈120°的相对钝角。
3.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于所述第一导电型半导体区域为n型半导体区域，且形成于第一导电型半导体区域上的第一接触区的数量为一个；而第二导电型半导体区域为p型半导体区域，形成于其上的第二接触区的数量为一个。
4.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于所述第一导电型半导体区域未被第二导电型半导体区域覆盖的部分区域为位于菱形衬底的一锐角处的一个三角形区域，且所述第一接触区形成在所述三角形区域上，而第二导电型半导体区域位于所述菱形衬底的其他区域；所述第二接触区形成在第二导电型半导体区域上，并使设于第一接触区及第二接触区上的第一电极及第二电极分别形成在所述菱形衬底的二相对锐角处。
5.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于所述第一导电型半导体区域未被第二导电型半导体区域覆盖的部分区域包括位于所述菱形衬底一锐角处的三角形区域及由三角形区域两端沿所述菱形衬底周缘延伸至另一锐角处的环形区域，使得形成在所述第一接触区上的第一电极成为环状电极。
6.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于所述形成在第二接触区上的第二电极包括位于菱形衬底另一锐角处的三角形区域及由所述三角形区域往外沿第二接触区内周缘环绕延伸的环形区域，成为环状电极。
7.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于所述第一导电型半导体区域未被第二导电型半导体区域覆盖的部分区域包括位于所述菱形衬底一锐角处的三角形区域及由三角形区域两端沿所述菱形衬底周缘延伸至另一锐角处的环形区域，使得形成在第一接触区上的第一电极成为外环状电极；且形成在第二接触区上的第二电极为一内环状电极，其包括位于菱形衬底另一锐角处的三角形区域以及由三角形区域往外沿第二接触区内周缘环绕延伸的环形区域。
8.如权利要求4或5或6或7所述的半导体元件，其特征在于所述第一接触区及第二接触区上形成有一金属接触薄膜层。
9.如权利要求8所述的半导体元件，其特征在于所述菱形衬底、第一导电型半导体区域及第二导电型半导体区域由具有六角堆积结晶结构的氮化镓半导体材料构成，第一导电型半导体区域包括位于下层的一n+型氮化镓层及位于上层的一n型氮化镓层，第二导电型半导体区域包括位于下层的一p型氮化镓层及一位于上层的一p+型氮化镓层。
10.一种半导体元件的制造方法，其特征在于包括下列步骤a、提供一晶体片片衬底，衬底上形成第一导电型半导体区域及在第一导电型半导体区域上形成的第二导电型半导体区域所构成的半导体层，且该衬底及第一、第二导电型半导体区域为具有相同六角堆积结晶结构的半导体材料；b、根据步骤a的晶体圆片结晶面方向，于晶片上定义数个由至少一第一接触区及与该第一接触区相邻的至少一第二接触区所构成的菱形区块；c、将位于各菱形区块中的第一接触区内的第二导电型半导体区域去除，使第一导电型半导体区域的一部分露出；d、在各菱形区块中露出第一导电型半导体区域的一部分的第一接触区上形成第一电极；e、在各菱形区块中保留第二导电型半导体区域的第二接触区上形成第二电极；f、沿该等菱形区块的边线进行切割程序，即可获得菱形半导体元件晶粒。
11.如权利要求10所述的半导体元件的制造方法，其特征在于在所述第二步骤中，由第一接触区与第二接触区构成的菱形区块具有60°的两相对锐角及120°的两相对钝角。
12.如权利要求10或11所述的半导体元件的制造方法，其特征在于在所述第四及第五步骤中，在制作第一电极及第二电极之前，先在第一接触区及第二接触区上形成一金属接触薄膜层。
13.如权利要求12所述的半导体元件的制造方法，其特征在于在所述第一步骤中，第一导电型半导体区域及第二导电型半导体区域由具有六角堆积结晶结构的氮化镓半导体材料构成，第一导电型半导体区域为一n型半导体区域，其包括位于下层的一n+型氮化镓层及位于上层的一n型氮化镓层；第二导电型半导体区域为一p型半导体区域，其包括位于下层的一p型氮化镓层及位于上层的一p+型氮化镓层。
14.如权利要求13所述的半导体元件的制造方法，其特征在于在所述第二步骤中，设于所述各菱形区块上的第一接触区及第二接触区各为一个，第一接触区设在各菱形区块的一锐角处，在第四及第五步骤中，使设于各菱形区块中的第一接触区及第二接触区上的第一电极及第二电极分别位于各菱形区块的两相对锐角处。
15.如权利要求13所述的半导体元件的制造方法，其特征在于在所述第二步骤中，设于各菱形区块上的第一接触区及第二接触区各为一个，且第一接触区包括位于菱形区块的一锐角处的三角形区域及由三角形区域两端沿菱形区块周缘延伸至另一锐角处的环状区域，使设于其上的第一电极成环状n型电极。
16.如权利要求13所述的半导体元件的制造方法，其特征在于在所述第二步骤中，设于各菱形区块上的第一接触区及第二接触区各为一个，且设于第二接触区上的第二电极包括位于菱形区块的另一锐角处的三角形区域及由三角形区域往外沿第一接触区内周缘环绕形成的环形区域，成为环状p型电极。
17.如权利要求13所述的半导体元件的制造方法，其特征在于在所述第二步骤中，设于各菱形区块上的第一接触区及第二接触区各有一个，且第一接触区包括位于菱形区块的一锐角处的三角形区域及由三角形区域两端沿菱形区块周缘延伸至另一锐角处的环形区域，使得设于其上的第一电极成为一外环状n型电极；而设于第二接触区上的第二电极包含位于菱形区块的另一锐角处的三角形区域及由该三角形区域往外沿第一接触区内周缘环绕形成的环形区域，而成为一内环状p型电极。
18.如权利要求9所述的半导体元件的制造方法，其特征在于所述衬底为具有六角堆积结晶结构的三氧化二铝半导体基材。
19.如权利要求18所述的半导体元件的制造方法，其特征在于所述衬底为具有六角堆积结晶结构的碳化硅半导体基材。
全文摘要
一种半导体元件及其制造方法,该半导体元件包括衬底、形成在衬底上的第一导电型半导体区域、第一、二电极;根据六角堆积结晶面对应形成菱形衬底;还包括:形成在第一导电型区域部分区域的第二导电型区域;分别形成在第一、二导电型区域的第一、二接触区;第一、二电极分别设在第一、二接触区上;菱形衬底、第一、二导电型区域由具相同六角堆积结晶结构的半导体材料构成。本发明的菱形半导体元件平整度良好,可增加半导体元件主动区的有效面积。
文档编号H01S5/00GK1384553SQ01115640
公开日2002年12月11日 申请日期2001年4月28日 优先权日2001年4月28日
发明者杨台发, 刘君凤 申请人:佳大世界股份有限公司