技术编号:6863786
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,在该半导体器件中,元件与布线通过硅化物膜相互连接。特别地,本发明涉及含有在低电压下工作的晶体管和在高电压下驱动的晶体管的半导体器件,如闪存,并涉及该半导体器件的制造方法。背景技术 半导体器件如闪存,由混合安装的在5V低压下工作的低压晶体管和在大约20V高压下工作的高压晶体管构成。图1是显示传统半导体器件中高压晶体管和布线的连接部分的剖视图。下面参考图1,对传统半导体器件的制造方法进行说明。首先,在半导体基片10的预确定部位处形成沟槽。用绝缘材料...
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