技术编号:6865176
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及金属膜和金属氮化膜等含金属的薄膜的,特别涉及在半导体器件回路中使用的金属氮化膜和金属膜的形成过程。背景技术 在半导体集成回路的布线工序中,为了抑制Cu膜向低介电常数层间绝缘膜(low-k膜)中扩散,要求形成阻隔膜。在阻隔膜的材料中有望见到TiN、TaN、WN、Ti、Ta、W等。S.M.Rossnagel et al,Plasma-enhanced atomic layer deposition of Taand Ti for Interconne...
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