专利名称：成膜方法
技术领域：
本发明涉及金属膜和金属氮化膜等含金属的薄膜的成膜方法，特别涉及在半导体器件回路中使用的金属氮化膜和金属膜的形成过程。
背景技术：
在半导体集成回路的布线工序中，为了抑制Cu膜向低介电常数层间绝缘膜(low-k膜)中扩散，要求形成阻隔膜。在阻隔膜的材料中有望见到TiN、TaN、WN、Ti、Ta、W等。
S.M.Rossnagel et al，Plasma-enhanced atomic layer deposition of Taand Ti for Interconnect diffusion barriers.J.VacSci.Technol.B 18(4)，Jul/Aug 2000.中作为金属薄膜(例如Ti膜)的成膜方法，记载有原料气体使用TiCl4，还原性气体使用H2，激发源使用ICP(电感耦合等离子体装置)的PE-ALD(Plasma Enhanced-Atomic Layer Deposition等离子体增强原子层淀积)法。在历来的PE-ALD法中，供给还原性气体(H2)时，引燃等离子体，生成离子和自由基，但在供给原料(TiCl4)时，不引燃等离子体。由此原料不被分解而以气体分子(TiCl4)的原状态被供给到基板上，随后与还原性气体的气体等离子体反应使该原料气体分子离解，在基板上成膜。
但是，在历来的PE-ALD法成膜中，吸附在基板上的金属原料种的数量是1个原子层或其以下的吸附量，因此存在金属膜的成长速度非常缓慢的问题。而在历来的PE-ALD法中，得到的薄膜质量和膜厚的均匀性也未必很好。
在特开2003-109914号公报中，公开了使用平行平板型等离子体装置，供给Cu原料气体和H2气形成Cu层，然后用多通阀交替切换供给Cu原料气体和H2气，间歇供给原料气体形成规定膜厚的Cu膜的方法。
但是，在如此同时供给原料气体和作为还原性气体的H2气，使之等离子体化，然后供给还原性气体的方法，其中在使原料气体和H2气等离子体化时进行成膜，但由于这些不能到达微细孔的底部而产生阶梯覆盖较差的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种成膜方法，能够在由PE-ALD法形成含金属的薄膜时提高成膜速度，使得到的薄膜质量和厚度均匀性都很高，而且即使是微细孔内，也可以进行阶梯覆盖(step coverage)良好的成膜。本发明的目的还提供一种计算机记录介质，该记录介质记录有能够由成膜装置的控制计算机运行的软件，通过运行该软件，上述控制计算机控制上述成膜装置，实施上述成膜方法。
在本发明的第一观点中，提供一种成膜方法，其通过交替向基板供给含金属的成膜原料和还原性气体，在上述基板上形成含金属的薄膜，其特征在于通过等离子体将上述成膜原料的至少一部分在气相中进行离解或分解，并供给到基板上。
在本发明的第二观点中，提供一种成膜方法，其将基板配置在处理容器内，通过重复进行如下(a)～(d)的工序，在上述基板上形成上述含金属的薄膜(a)向基板供给含金属的成膜原料的工序；(b)在停止供给上述成膜原料之后，除去上述处理容器内的残留气体的工序；(c)向上述处理容器内的基板供给还原性气体的工序；(d)在停止供给上述还原性气体之后，除去上述处理容器内的残留气体的工序，其特征在于在上述(a)工序中，通过等离子体将上述成膜原料的至少一部分在气相中进行离解或分解，并供给到基板上。
在本发明的第三观点中，提供一种计算机记录介质，其包括可由计算机系统运行的软件，其特征在于，所述软件控制上述处理容器内的气体等离子体，使得重复进行如下的(a)～(d)的步骤，在基板上形成上述含金属的薄膜时(a)向处理容器内的基板供给含金属的成膜原料的步骤；(b)在停止供给上述成膜原料之后，除去上述处理容器内的残留气体的步骤；(c)向上述处理容器内的基板供给还原性气体的工序；(d)在停止供给上述还原性气体之后，除去上述处理容器内的残留气体的工序，在上述步骤(a)中，通过等离子体将上述成膜原料的至少一部分在气相中进行离解或分解，并供给到基板上。
在历来的PE-ALD法中，由于在供给所需的含金属的成膜原料时不生成等离子体，所以成膜原料没有分解就被送到基板上。从而，当成膜原料到达基板时，由于成膜原料没有完全分解，所以吸附点被大的成膜原料分子所阻碍，使得膜成分在基板上的吸附量减少。而由于成膜原料在没有分解的情况下被吸附，当随后供给还原性气体，并与吸附原料进行反应，将成膜原料进行离解而成膜时，离解的化学种作为杂质进入膜中，有使膜质量不良的倾向。在成膜原料与还原性气体同时等离子体化而成膜的情况下，由于它们两者同时到达吸附点，难以到达微细孔的底部。
与此相反，在本发明中，由于通过等离子体将成膜原料的至少一部分在气相中进行离解或分解(以下简称为“离解”)，成膜原料不再是原来的大个分子，成为由成膜原料离解生成的成膜金属前体而到达基板上，使得被基板吸附的成膜金属的比例更多，也就难以脱离。这就是说，在成膜原料是有机物的情况下，从构成其的分子上脱离出例如-CH3基等，而在成膜原料是无机物的情况下，则脱离例如Cl-和F-等，成为在立体上更小的成膜金属前体而到达基板上，所以在基板上吸附的成膜金属的比例提高，也就难以发生脱离。结果使成膜速度增大，能够提高成膜工序的生产率。
再有，在本发明中，因为由等离子体将成膜原料的至少一部分在气相中进行离解，这就抑制了在基板上离解的化学成分进入膜中，减少了膜中的杂质。当由等离子体将成膜原料进行离解时，该原料成为“在立体上更小的成膜金属前体”。由于在基板的表面上稠密地吸附该成膜金属前体，使得提高成膜金属相对于基板的均匀性。结果就提高含金属的薄膜的质量和厚度的均匀性。
再有，由于不与还原性气体同时，只供给用等离子体将成膜原料离解的在立体上更小的成膜金属前体，并吸附在基板上，与同时供给还原性气体的情况相比，容易到达微细孔的底部，提高微细孔内的阶梯覆盖。
在上述第一和第二观点中，在将上述还原性气体供给到基板上时，优选将还原性气体等离子体化。另外，作为将成膜原料的一部分进行离解的等离子体，可使用惰性气体的等离子体。
在第一观点中，在向上述基板供给成膜原料之后，以及向基板供给还原性气体之后，优选从基板上排除剩余的成膜原料和还原性气体。
而在第二观点中，工序(b)和工序(d)可通过用惰性气体置换处理容器内的气氛或通过对处理容器内进行真空排气来实施。
按照本发明，当通过交替供给成膜原料和还原性气体的PE-ALD法进行含金属的薄膜的成膜时，由于通过等离子体将成膜原料进行离解，使分子尺寸更小的成膜金属前体到达基板上，所以能够有效地吸附更多的成膜金属，能够提高成膜速度。而因为由等离子体将成膜原料的至少一部分在气相中进行离解，在减少膜中的杂质的同时，还提高成膜金属相对于基板的均匀性，提高含金属的薄膜的质量和膜厚的均匀性。这就是说，能够微细且保形地(conformal)形成杂质少而且低电阻的膜。再有由于在等离子体中只将成膜原料进行离解，所以很容易到达微细的孔内，能够提高微细孔内的阶梯覆盖。
图1是表示在本发明成膜方法中使用的装置大致结构的内部透视截面框图。
图2是表示本发明的成膜方法一个例子的定时图。
具体实施例方式
下面参照附图，说明本发明的各种优选实施方式。
如图1所示，本实施方式的成膜装置10的各种功能要件，经由信号线51，连接在自动控制整个成膜装置的动作的控制计算机50上。在此，所谓功能要件包括加热器电源6、阀门29a1～29c2、质量流量控制器(MFC)30a～30c、高频电源33、排气装置38、闸阀39和其它周边装置，意味着在成膜装置10中用来实现规定的成膜过程条件而发生动作的全部要件。这里，方便地只图示多数信号线51中的一部分。控制计算机50是典型的能够依存于运行的软件而实现任意功能的通用计算机。
控制计算机50具有中央计算装置(CPU)52、回路53和记录介质54。回路53包括用来支持CPU的系统总线和存储器等。记录介质54存储有基于标准方法或用户特别方法，个别编制各种工艺条件(气体流量、压力、温度、高频电力等)的控制软件。控制计算机50按照在记录介质54中存储的控制软件，分别控制成膜装置10各功能要件的动作。
记录介质54固定地设置在控制计算机50中，或者自由装卸地设置在控制计算机50上设置的可读取装置上，由该读取装置可进行读取。在最典型的实施方式中，记录介质54是一种由成膜装置制造商的服务人员安装了控制软件的硬盘驱动器。而在另一实施方式中，记录介质54是写入控制软件的CD-ROM或DVD-ROM之类的可装卸光盘。这种可装卸光盘由设置在控制计算机50中的光学读取装置读取。记录介质54也可以是RAM或ROM中任一种记录形式，也可以是盒式ROM之类的形式。总之，可以使用在计算机领域中一般已知的所有记录介质作为记录介质54。在配置有多个成膜装置的工厂中，也可以在整体控制各成膜装置的控制计算机50的管理计算机中存入控制软件。在此情况下，各成膜装置通过通讯线路由管理计算机进行操作，实施规定的过程。
成膜装置10具有构成为气密性的大致呈圆筒状的腔室1，在腔室1内设有基座2。基座2由圆筒状的支撑部件3支撑，在其上面水平地载置着晶片W。在基座2的外缘部上设有用来引导晶片W的导向环4。
在基座2中分别埋入加热器5、温度传感器8和下部电极7。加热器5经由加热器电源6连接在控制计算机50的输出部。温度传感器8连接在控制计算机50的输入部。下部电极7接地。当从温度传感器8将基座2(间接表示晶片W)的温度检出信号输入到控制计算机50中时，控制信号就从控制计算机50被送到加热器电源6中，由加热器5将基座2上的晶片W加热到规定的目标温度。
在腔室1的顶部1a上，隔着绝缘部件9设有喷淋头10。喷淋头10由上段块状体10a、中段块状体10b和下段块状体10c重叠为一个整体。在下段块状体10c上交替配置多个气体排出孔17和18。各排出孔17、18在厚度方向上贯穿下段块状体10c，并分别开口在下段块状体10c的下面。
在上段块状体10a的上面，分别开口有第一气体导入口11和第二气体导入口12。这些第一和第二气体导入口11、12分别连通在气体供给机构20的气体管线26、28。在上段块状体10a的内部形成分支流路13。另外，在中段块状体10b的内部也形成分支流路15。这些分支流路13、15互相连通。上方的分支流路13连通着第一气体导入口11，下方的分支流路15连通着下段块状体10c的气体排出孔17。
另外，在上段块状体10a的内部形成有另一个分支流路14。在中段块状体10b的内部也形成另一个分支流路16。这些分支流路14、16也是互相连通的。上方的分支流路14连通着第二气体导入口12，而下方的分支流路16连通着下段块状体10c的气体排出孔18。
气体供给机构20具有3个供给源22、23、24。第一供给源22供给TiCl4之类的成膜原料。第二供给源23供给作为载气的Ar气之类的惰性气体。第三供给源24供给H2气之类的还原性气体。在第一供给源22上连接有第一气体管线26，在第二气体供给源23上连接有第二气体管线27，在第三供给源24上连接有第三气体管线28。在第一气体管线26上从上游侧开始依次设有阀门29a1、质量流量控制器30a和阀门29a2。在第二气体管线27上从上游侧开始依次设有阀门29b1、质量流量控制器30b和阀门29b2。在第三气体管线28上从上游侧开始依次设有阀门29c1、质量流量控制器30c和阀门29c2。
第一气体导入口11连通着第一气体管线26。在该第一气体管线26的适当位置与第二气体管线27合流。控制计算机50控制阀门29a1、29a2、29b1、29b2和MFC30a、30b，分别调节成膜原料(TiCl4)和载气(Ar气)的流量，使载气合流到成膜原料中。成膜原料(TiCl4)伴随着合流的载气(Ar等)通过第一气体管线26，从第一气体导入口11进入喷淋头10内，经由气体通道13、15从排出孔17均匀地排放到腔室1内。
另外，第二气体导入口12连通着第三气体管线28。控制计算机50控制阀门29c1、29c2和MFC30c，调节还原性气体(H2气)的流量。还原性气体(H2气)通过第三气体管线28从喷淋头10的第二气体导入口12进入喷淋头10内，经由气体通道14、16从排出孔18均匀地排放到腔室1内。如此成膜原料和还原性气体完全独立地从喷淋头10供给到腔室1内。这种喷淋头10称为后混合型。
喷淋头10经过匹配器32连接高频电源33。通过由该高频电源33向喷淋头10和下部电极7之间供给高频电力，使得经由喷淋头10供给到腔室1内的作为成膜原料载气的惰性气体或还原性气体等离子体化。
在腔室1底部1b的中央部形成有圆形的凹入部35，在底部1b设有向下方突出的排气室36，使其盖住该凹入部35。在排气室36的侧面连接有排气管37，该排气管37连接着排气装置38。通过该排气装置38的动作能够将腔室1内减压到规定的真空度。在腔室1的侧壁上设有闸阀39，开启该闸阀39可将晶片W送入或取出腔室1。
下面说明使用上述成膜装置在硅晶片W上形成Ti膜的情况。
使用TiCl4作为成膜原料，使用Ar气作为载气，使用H2气作为还原性气体。首先由加热器5将基座2加热到150～600℃，优选400℃以下的温度，同时由排气装置38将腔室1内排气，维持腔室1内在13～1330Pa，优选650Pa的状态，开启闸阀39，从外部将晶片W装入腔室1中。
在时刻t0，以10～5000mL/min，优选50mL/min的流量向腔室1内开始供给Ar气作为载气，同时开始以1～100mL/min，优选5mL/min的流量向腔室1内供给TiCl4作为成膜原料，与此同时从高频电源33向喷淋头10开始供给50～5000W，例如100W左右生成等离子体用的高频电力，启动等离子体(ON)。由此在腔室1内形成Ar气的等离子体，同时在晶片W的整个面上均匀地吸附上作为成膜金属前体的TiClx(x＝1～3)(工序S1)。在时刻t1停止供给成膜原料(TiCl4)，同时关闭等离子体(OFF)。工序S1的时间t0～t1优选0.1～5秒的范围，在本在时刻t1，以100～5000mL/min，例如2000mL/min的流量开始向腔室1内供给Ar气，对腔室1内进行Ar气吹扫，排除腔室1内残留的成膜原料(工序S2)。在时刻t2，停止供给Ar气。工序S2的时间t1～t2，优选0.1～5秒的范围，在本实施例中取3秒。也可以只进行真空排气来代替对腔室1内进行Ar气吹扫。
在时刻t2，向腔室1内，以100～5000mL/min，优选1500mL/min的流量供给还原性气体H2气，以0～1000mL/min的流量供给Ar气，同时从高频电源33向喷淋头10上施加100～1000W，例如350W生成等离子体用的高频电力，使还原性气体H2等离子体化，将在晶片W上吸附的TiClx(x＝1～3)等成膜金属前体还原(工序S3)。在时刻t3，停止供给还原性气体(H2气)，同时关闭等离子体(OFF)。工序S3的时间t2～t3优选0.1～10秒的范围，在本实施例中取10秒。
在时刻t3，停止供给还原性气体，只以100～5000mL/min，例如2000mL/min的流量向腔室1内供给载气Ar气，对腔室1内进行吹扫，排除腔室1内残留的还原性气体(工序S4)。在时刻t4，停止供给Ar气。工序S4的时间t3～t4优选0.1～5秒的范围，在本实施例中取3秒。也可以只对腔室1内进行真空排气来代替Ar气吹扫。
重复进行上述工序S1～S4的处理，直至在晶片W上形成的Ti膜达到规定的目标膜厚。由此得到例如厚度为2～20nm的Ti膜。
在如上所述的本实施方式的方法中，由于在成膜原料供给工序S1中，在腔室1内形成惰性气体Ar气的等离子体，成膜原料TiCl4的至少一部分在气相中进行离解，所以分子尺寸大的TiCl4已不是原来的状态，而是以由TiCl4离解生成的成膜金属前体TiClx(x＝1～3)的状态到达晶片W上。因此不会阻碍晶片W上的吸附点，能够使在晶片W上吸附的物质中Ti的比例更高，难以使由等离子体生成的TiClx(x＝1～3)脱离。结果，能够提高成膜速度，提高成膜处理的生产率。而由于等离子体将至少一部分TiCl4在气相中进行离解，离解的Cl-(负离子)进入膜中受到抑制，使得在膜中的Cl等杂质减少。而由于被等离子体离解的TiClx(x＝1～3)(在立体上更小的成膜金属前体)稠密地被吸附在晶片W上，提高成膜金属相对于晶片W的均匀性。因此也就提高Ti膜质量和厚度的均匀性。这就是说，能够微细而且保形地形成杂质少、低电阻的Ti膜。由于只将离解TiCl4的至少一部分而生成的TiClx(x＝1～3)供给，不与还原性气体一起供给而被吸附在晶片W上，所以容易到达微细孔内，提高了在微细孔内的阶梯覆盖。
顺便说一下，在历来的PE-ALD法中，TiCl4以没有分解的分子(立体上更大的化学种)状态被送到晶片W上，由此会阻碍吸附点，减少TiCl4在晶片W上的吸附量。与此相反，在本实施方式中，通过点燃Ar气的等离子体将一部分TiCl4进行离解，在晶片W上吸附了TiClx(x＝1～3)，不会产生如此的麻烦，提高了成膜处理的生产率，而且提高膜的质量和厚度的均匀性。与同时将TiCl4和还原性气体等离子体化而进行供给的情况相比，在微细孔中的阶梯覆盖是良好的。
在用热能将TiCl4进行离解的情况下，由于必须在例如500℃以上的高温下TiCl4才能离解，在低于该温度的低温下，Cl等杂质的浓度高、电阻高，而且会腐蚀布线材料例如Al、Cu等，所以低温成膜是很困难的。但是，在如本实施方式那样用等离子体进行离解的情况下，由于在比较低的温度下能够离解，所以能够进行低温成膜，能够形成对布线材料或元件没有热影响(Thermal Budget)的低电阻、高质量的膜。换句话说，由于在本发明中能够低温成膜，不存在对布线材料或元件产生影响的热量(＝温度×时间)，能够形成低电阻、高质量的膜。
本发明并不限于上述的实施方式，各种变化都是可能的。例如在供给成膜原料的工序S1中，供给成膜原料的时刻，可以在点燃由Ar等惰性气体产生的等离子体之前、与点燃等离子体同时、点燃等离子体之后中的任何时刻。再有，Ar等惰性气体的流量、等离子体的功率都可以根据成膜原料的种类进行各式各样的组合。
在上述实施方式中，作为一个例子，举出使用TiCl4和H2形成Ti膜的例子，但气体的组合并不限于此，除了Ti膜以外，TiN膜、W膜、WN膜、TaN膜、TaCN膜也都是适用的。
在形成Ti膜、TiN膜时，可以使用选自TiCl4、TiF4、TiBr4、TiI4、Ti[N(C2HsCH3)]4(TEMAT)、Ti[N(CH3)2]4(TDMAT)、Ti[N(C2H5)2]4(TDEAT)中的一种或两种以上，作为含Ti成膜原料，使用选自H2、NH3、N2H4、NH(CH3)2、N2H3CH3、N2中的一种或两种以上，作为还原性气体。
在形成W膜、WN膜时，可以使用WF6、W(CO)6作为含W成膜原料，使用选自H2、NH3、N2H4、NH(CH3)2、N2H3CH3、N2中的一种或两种以上，作为还原性气体。
在形成Ta、TaN、TaCN膜时，可以使用选自TaCl5、TaF5、TaBr5、TaI5、Ta(NC(CH3)3)、(N(C2H5)2)3(TBTDET)、Ta(NC(CH3)2C2H5)(N(CH3)2)3的一种或两种以上作为含Ta成膜原料，可以使用选自H2、NH3、N2H4、NH(CH3)2、N2H3CH3中的一种或两种以上作为还原性气体。
在供给这样的还原性气体时，也可以将多种还原性气体组合通入。
在本实施方式中，作为等离子体发生源，使用高频平行平板型电容耦合型的发生装置，但本发明并不限于此，也可以使用例如电感耦合型等离子体发生装置(ICP)，还可以使用ECR发生装置、RLSA微波发生装置。
权利要求
1.一种成膜方法，其通过交替向基板供给含金属的成膜原料和还原性气体，在所述基板上形成含金属的薄膜，其特征在于通过等离子体将所述成膜原料的至少一部分在气相中进行离解或分解，并供给到基板上。
2.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于在向基板供给所述还原性气体时，将所述还原性气体等离子体化。
3.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于将所述成膜原料的至少一部分进行离解或分解的等离子体是惰性气体的等离子体。
4.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于在向基板供给所述成膜原料之后，以及在向所述基板供给所述还原性气体之后，从基板上排除剩余的所述成膜原料和所述还原性气体。
5.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于在基板上形成Ti膜或TiN膜时，所述成膜原料含有选自TiCl4、TiF4、TiBr4、TiI4、Ti[N(C2H5CH3)]4(TEMAT)、Ti[N(CH3)2]4(TDMAT)、Ti[N(C2H5)2]4(TDEAT)中的一种或两种以上，所述还原性气体含有选自H2、NH3、N2H4、NH(CH3)2、N2H3CH3、N2中的一种或两种以上。
6.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于在基板上形成W膜或WN膜时，所述成膜原料含有WF6和W(CO)6中的至少一种，所述还原性气体含有选自H2、NH3、N2H4、NH(CH3)2、N2H3CH3、N2中的一种或两种以上。
7.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于在基板上形成Ta膜、TaN膜、TaCN膜的任一种时，所述成膜原料含有选自TaCl5、TaF5、TaBr5、TaI5、Ta(NC(CH3)3)、(N(C2H5)2)3(TBTDET)、Ta(NC(CH3)2C2H5)(N(CH3)2)3中的一种或两种以上，所述还原性气体含有选自H2、NH3、N2H4、NH(CH3)2、N2H3CH3中的一种或两种以上。
8.一种成膜方法，其将基板配置在处理容器内，通过重复进行如下(a)～(d)的工序，在基板上形成所述含金属的薄膜(a)向基板供给含金属的成膜原料的工序；(b)在停止供给所述成膜原料之后，除去所述处理容器内的残留气体的工序；(c)向所述处理容器内的基板供给还原性气体的工序；(d)在停止供给所述还原性气体之后，除去所述处理容器内的残留气体的工序，其特征在于在所述(a)工序中，通过等离子体将所述成膜原料的至少一部分在气相中进行离解或分解，并供给到基板上。
9.如权利要求8所述的成膜方法，其特征在于在所述(c)工序中，在向基板供给还原性气体时，将所述还原性气体等离子体化。
10.如权利要求8所述的成膜方法，其特征在于在所述(a)工序中，将所述成膜原料的至少一部分进行离解或分解的等离子体是惰性气体的等离子体。
11.如权利要求8所述的成膜方法，其特征在于所述(b)工序和所述(d)工序，用惰性气体置换所述处理容器内的气氛或者将所述处理容器内真空排气。
12.如权利要求8所述的成膜方法，其特征在于在基板上形成Ti膜或TiN膜时，所述成膜原料含有选自TiCl4、TiF4、TiBr4、TiI4、Ti[N(C2H5CH3)]4(TEMAT)、Ti[N(CH3)2]4(TDMAT)、Ti[N(C2H5)2]4(TDEAT)中的一种或两种以上，所述还原性气体含有选自H2、NH3、N2H4、NH(CH3)2、N2H3CH3、N2中的一种或两种以上。
13.如权利要求8所述的成膜方法，其特征在于在基板上形成W膜或WN膜时，所述成膜原料含有WF6和W(CO)6中的至少一种，所述还原性气体含有选自H2、NH3、N2H4、NH(CH3)2、N2H3CH3、N2中的一种或两种以上。
14.如权利要求8所述的成膜方法，其特征在于在基板上形成Ta膜、TaN膜、TaCN膜的任一种时，所述成膜原料含有选自TaCl5、TaF5、TaBr5、TaI5、Ta(NC(CH3)3)、(N(C2H5)2)3(TBTDET)、Ta(NC(CH3)2C2H5)(N(CH3)2)3中的一种或两种以上，所述还原性气体含有选自H2、NH3、N2H4、NH(CH3)2、N2H3CH3中的一种或两种以上。
15.一种计算机记录介质，其包括可由计算机系统运行的软件，其特征在于，所述软件控制所述处理容器内的气体等离子体，使得重复进行如下的(a)～(d)的步骤，在基板上形成所述含金属的薄膜时(a)向处理容器内的基板供给含金属的成膜原料的步骤；(b)在停止供给所述成膜原料之后，除去所述处理容器内的残留气体的步骤；(c)向所述处理容器内的基板供给还原性气体的步骤；(d)在停止供给所述还原性气体之后，除去所述处理容器内的残留气体的步骤，在所述步骤(a)中，通过等离子体将所述成膜原料的至少一部分在气相中进行离解或分解，并供给到基板上。
全文摘要
本发明提供一种通过交替向基板供给含金属的成膜原料和还原性气体，在上述基板上形成含金属的薄膜的成膜方法，通过等离子体将上述成膜原料的至少一部分在气相中进行离解或分解，并供给到基板上。
文档编号H01L21/285GK1906327SQ20058000149
公开日2007年1月31日 申请日期2005年2月28日 优先权日2004年3月3日
发明者吉井直树, 小岛康彦 申请人:东京毅力科创株式会社