技术编号：6866017
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，特别涉及一种进行使用了镍的硅化物化的。背景技术 作为实现栅极电极、源极/漏极扩散层的低阻抗化的技术，公知有在这些表面自对准地形成金属硅化物膜、即所谓自对准硅化物(Self-AlignedSilicide)工艺。作为在自对准硅化物工艺中使和硅反应的金属材料，广泛地采用钴(Co)(例如参照专利文献1)。另一方面，随着半导体装置的高集成化，半导体装置的结构的微细化急速地发展。具体而言，源极/漏极扩散层的接合深度浅到小于80nm。另外，在源极/漏极...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。