技术编号:6866247
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有半导体本体的半导体器件,所述半导体本体包括用电介质层覆盖的高欧姆半导体衬底,该电介质层含有电荷,在该电介质层上存在包括导体迹线(conductor track)的一个或多个无源电子元件,并在无源元件的位置上,在半导体衬底和电介质层之间的界面处存在半导体区,其结果是由电荷感应的第一导电类型的导电沟道在半导体衬底与电介质层间的界面处、在半导体区的位置处中断。在本申请中,高欧姆半导体衬底尤其指的是电阻率大于或等于大约1kΩcm,并且实际上在1和...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。