技术编号:6866252
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有增强电子和空穴迁移率的半导体器件,尤其涉及包括具有增强电子和空穴迁移率的含硅(Si)层的半导体器件。本发明也提供形成这种半导体器件的方法。背景技术 长达三十多年,硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的连续小型化已经驱动世界范围的半导体行业。连续尺寸缩小的各种终止者已经被预测了几十年,但是尽管有许多挑战,创新的历史已经维持摩尔定律。但是,今天存在生长的迹象,即金属氧化物半导体晶体管开始到达它们传统的尺寸缩小极限。连续的互补金属氧化物半...
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