技术编号:6866284
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高击穿电压半导体装置。更具体地说,本发明涉及一种高击穿电压半导体装置,其中,在栅极电极图案的一部分中新配置一种绝缘间隔物,其能够通过自我对齐来替代执行中间绝缘膜、接触孔和掩模等的功能并简化装置的总体制造过程。因而,可以自然地减少装置制造所需的掩模数量。其使制造商可以轻松避免由于增加掩模数量引起的各种问题,例如,制造成本增加、制造周期延长、库存货物(物流)的负担加重、成本竞争力下降以及产品开发周期延长等。除此之外,本发明涉及一种制造高击穿电压半...
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