技术编号:6866561
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。0001本发明一般涉及用于制造半导体器件的方法,更具体地,涉及一种用于制造具有硅化栅电极的半导体器件的方法以及一种用于制造包含该半导体器件的集成电路的方法。背景技术0002近年来,研究在当前不断缩小和变化的晶体管器件中用金属栅电极代替多晶硅栅电极。业内研究用金属栅电极来代替多晶硅栅电极的主要原因之一是为了解决未来CMOS器件的空乏或多晶耗尽(polydepletion)效应和硼穿透问题。传统上,覆盖了硅化物的多晶硅栅电极用于CMOS器件中的栅电极。然而,器...
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