技术编号:6866951
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别是涉及对形成半导体器件的配线槽或连接孔方法的改进。例如为了要用单波形花纹法(single Damascene)或双重波形花纹法(dual damascene)形成多层配线结构,利用这样的配线槽或连接孔。背景技术 在半导体器件的制造过程中,为了形成多层配线结构,大多采用双重波形花纹法(例如参照日本专利特开2002-83869号公报)。图20是按工序的顺序表示用双重波形花纹法形成配线结构的现有工艺的截面图。首先,在基板上例如从下面开始依次形...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。