技术编号:6866953
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及高频特性优良的电容器。背景技术 近年来,随着电子设备的高性能化,对于其中所使用的电子零件而言,也极力要求能对应于高频区域的性能。例如,在高频电路中用作旁路电容器或去耦电容器的电容器中,共振频率的高频化及大容量化是不可缺少的。而且,为了获得更高的共振频率,必须降低电容器的等效串联电感(低ESL化)。尤其,对于高性能化显著且用于CPU中的去耦电容器而言,需要可即时提供更多电力的性能。如此,为了能够满足高速运作的要求,电容器的低ESL化成为重要的环节。...
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