专利名称：电容器的制作方法
技术领域：
本发明涉及高频特性优良的电容器。
背景技术：
近年来，随着电子设备的高性能化，对于其中所使用的电子零件而言，也极力要求能对应于高频区域的性能。例如，在高频电路中用作旁路电容器或去耦电容器的电容器中，共振频率的高频化及大容量化是不可缺少的。而且，为了获得更高的共振频率，必须降低电容器的等效串联电感(低ESL化)。尤其，对于高性能化显著且用于CPU中的去耦电容器而言，需要可即时提供更多电力的性能。如此，为了能够满足高速运作的要求，电容器的低ESL化成为重要的环节。
高频特性优良的现有的电容器，例如在日本专利特开2002-299152号公报中有所揭示。该陶瓷电容器的两端，交替排列有正的电极端子与负的电极端子。以此，可实现低ESL化。进一步而言，还已知有通过各个电极端子交替排列为矩阵状以降低电感从而减少ESL的叠层陶瓷电容器。这样的电容器，例如在日本专利特开2001-189234号公报中有所揭示。这些电容器中，通过使由电容器中流动的电流所引起的磁场相抵消的方式来构成电极结构。而且，缩短了电极的电流路径长。通过这些相辅相成的效果，可实现低ESL化。
然而，在这样的电容器结构中，内部电极形状及端子电极的结构较为复杂，因此导致容量变小并且生产性下降。
发明内容
本发明的电容器具有第一电容器元件、及层叠于该第一电容器元件上的第二电容器元件。第一电容器元件具有阀金属薄板体、介电被膜、固体电解质层、集电体层及第一通孔电极。阀金属薄板体的一面上设有多孔质层，且介电被膜形成于多孔质层上。固体电解质层形成于介电被膜上，集电体层形成于固体电解质层上。第一通孔电极与集电体层导通而与阀金属薄板体绝缘，且贯通阀金属薄板体。第二电容器元件具有介电层、第一电极、第二电极、多个第二通孔电极及第二电极的多个取出部。第一电极与第二电极隔着介电层而相互绝缘，第一电极电性连接于第一通孔电极，第二电极电性连接于阀金属薄板体。第二通孔电极设为贯通介电层，与第一电极相连接并且与第二电极绝缘。第二电极的取出部从介电层露出。而且，第二通孔电极与取出部交替配。该电容器中，组合静电电容较大的第一电容器元件、及具有低ESL特性的第二电容器元件。因此，可以获得能够确保大电容并且具有低ESL特性的电容器。
图1是本发明实施方式1的电容器的外观立体图。
图2A是图1所示电容器的剖面构造图。
图2B是图2所示电容器的主要部分放大图。
图2C是表示本发明实施方式1的其他电容器的上面部分的主要部分放大图。
图3A是本发明实施方式1的电容器的其他剖面构造图。
图3B是本发明实施方式1的电容器的其他剖面构造图。
图4是用以说明本发明实施方式1的电容器的第一电容器元件的制造方法过程的剖面图。
图5是用以说明继图4之后第一电容器元件的制造方法过程的剖面图。
图6是用以说明继图5之后第一电容器元件的制造方法过程的剖面图。
图7是用以说明继图6之后第一电容器元件的制造方法过程的剖面图。
图8是用以说明本发明实施方式1的电容器的第二电容器元件的制造方法过程的剖面图。
图9是用以说明继图8之后第二电容器元件的制造方法过程的剖面图。
图10是用以说明继图9之后第二电容器元件的制造方法过程的剖面图。
图11是用以说明继图10之后第二电容器元件的制造方法过程的剖面图。
图12是用以说明继图11之后第二电容器元件的制造方法过程的剖面图。
图13是用以说明继图12之后第二电容器元件的制造方法过程的剖面图。
图14是本发明实施方式2的电容器的剖面构造图。
符号的说明1 阀金属薄板体1A第一面1B第二面2 第一通孔电极2A通孔3 绝缘膜3A绝缘材料4 阴极端子5 阳极端子5A阳极开口部6 多孔质层7 集电体层8 阴阳极分离部9 阴极电极层10加强板11基板12第一贯通电极13第二贯通电极12A、13A 通孔14下部电极15上部电极16介电层17绝缘部18、22第二通孔电极18A 盲孔
19第一端子电极20第二端子电极21绝缘保护层21A 外表面23第三通孔电极31介电被膜32固体电解质层33碳层34、35内层电极36连接凸块37绝缘膜41第一电容器元件42、43第二电容器元件具体实施方式
(实施方式1)图1是本发明实施方式1的电容器的外观立体图。图2A是图1的A-A线的剖面构造图，图2B是图2A的主要部分放大图。图2C是表示本实施方式其他例的电容器的上面部分的主要部分放大图。而且，图3A是本实施方式其他例的电容器的剖面构造图，图3B是其他例的电容器的剖面构造图。
在图1、图2A、图2B中，在阀金属薄板体(以下，称为薄板)1的第一面1A侧，具有形成了多个微孔的多孔质层6，且在多孔质层6的表面上形成有介电被膜31。这些均是通过对例如铝(Al)施行药液处理及热氧化处理形成的。作为薄板1，从静电电容方面考虑，除Al之外，优选的是钽(Ta)或铌(Nb)。
介电被膜31的表面上形成有固体电解质层32。另外，图2A中未表示出固体电解质层32。固体电解质层32的表面上形成有集电体层7。集电体层7由碳层33及阴极电极层9构成，该阴极电极层9形成于该碳层33之上且由银(Ag)膏等构成。固体电解质层32可由聚吡咯或聚噻吩等导电性高分子的聚合法形成。碳层33用于降低固体电解质层32与阴极电极层9之间的界面电阻。
进而，在薄板1上形成有第一通孔电极2，该第一通孔电极2从第一面1A侧到与第一面1A相向的第二面1B侧贯通薄板1。通孔电极2与阴极电极层9电性导通。通孔电极2的内壁与薄板1的第2面侧的大部分上形成有绝缘膜3，绝缘膜3使得通孔电极2与薄板1绝缘。而且，形成于薄板1的第一面1A侧外周部的阴阳极分离部8，防止了固体电解质层32与集电体层7在端部与薄板1导通，从而提高了电容器的可靠性。
贴合到阴极电极层9之上的加强板10提高了整体的机械强度。另外，阴阳极分离部8与加强板10可根据需要设，而并非是必需的结构。
在薄板1的第二面1B侧的通孔电极2的露出面上，形成有阴极端子4。形成于薄板1的第二面1B上的绝缘膜3的一部分上设有开口部，在该开口部上设有与薄板1导通的阳极端子5。另外，端子4、5未必是必需的，但通过设端子4、5可以提高连接的可靠性。通过以上所述的结构，可形成第一电容器元件41。
其次，对第二电容器元件42的结构进行说明。电容器元件42设在构成电容器元件41的薄板1的第二面1B侧。首先，使用薄膜工序等方法，由铜(Cu)等导电性优良的金属构成的下部电极14连接于电容器元件41的阴极端子4上。然后，利用溅镀等方法，在下部电极14之上设由钛酸钡等的介电材料薄膜构成的介电层16。接着，在介电层16上设与电容器元件41的阳极端子5连接的上部电极15。如此，下部电极14、介电层16及上部电极15层叠。另外，当未设有端子4、5时，下部电极14接连接于通孔电极2，上部电极15接连接于薄板1。即，作为第一电极的下部电极14与作为第二电极的上部电极15，隔着介电层16而相互绝缘，下部电极14电性连接于通孔电极2，上部电极15电性连接于薄板1。
介电层16与上部电极15的一部分上形成有通孔，在该通孔中设有与下部电极14连接的第二通孔电极18。设于通孔内壁的绝缘部17使得通孔电极18与上部电极15电性绝缘。即，通孔电极18设为贯通介电层16，且与下部电极14连接，并且与上部电极15绝缘。根据需要，在通孔电极18上设露出于外表面21A且连接于通孔电极18的第一端子电极20。而且，在上部电极15上设露出于外表面21A且与上部电极15的取出部连接的第二端子电极19。通过上述方式构成了电容器元件42。
电容器元件42的特征在于配有露出于绝缘保护层21的外表面21A的上部电极15的电极取出部、及与下部电极14连接的通孔电极18的电极取出部。图1中，此电极取出部分别相当于端子电极19、20。端子电极19、20如图1所示，以分别交替设的位关系设有多个。当未设端子电极19、20时，也可以使通孔电极18露出于外表面21A，且在相当于端子电极19的位上设与上部电极15形成为一体的凸部。通过设成这样的结构，可使电容器元件42的ESL变得非常低。
具有电容器元件41、42且具有上述结构的电容器，例如可用作MPU等去耦电容器。在这样的用途中，对于MPU的骤然的电压变化在初始阶段发挥重要作用的电源供给能力由ESL特性决定的。
在此初始阶段发挥必要的电源供给作用的电容器，要求具有低ESL特性，此时所需的静电电容为50nF左右。因此，要尽可能地缩短本实施方式中电容器元件42的电流路径长。而且，要对端子电极19、20进行配，以低ESL特性设为最优先。通过如上所述的电容器元件42的结构，可满足这些条件，且通过电容器元件42的静电电容设为大概大于等于50nF，可进行初始阶段所必需的电源供给。
另一方面，下一阶段的电源供给时需要较大的电容。对应于此要求，电容器元件41提供较多的电荷。因此，电容器元件41中需要具有低等效串联电阻(低ESR)特性且大容量的电容器。电容器元件41为固体电解电容器，因此可适应于这样的大容量要求。
如上所述，本实施方式的电容器中，电容器元件41具有较大的电容，电容器元件42具有低ESL特性。这样，通过分担功能，可不牺牲静电电容而有效地获得大容量且具有低ESL特性的电容器。而且，通过具有这样的结构，可获得极薄的高频用电容器。另外，优选的是，电容器元件42做为如上所述利用薄膜形成法形成介电层16及电极14、15的薄膜电容器。以此，能够以微细的间距尺寸且以高精度实现端子电极19与端子电极20之间的间距。
另外，在以上的说明中，在电容器元件41上，利用薄膜工序进行接成膜，从而形成电容器元件42。除此以外，也可以另外制造具有与电容器元件42相同功能的电容器，并层叠配于电容器元件41之上。此时，阴极端子4与下部电极14之间、阳极端子5与上部电极15之间，分别通过Ag、Cu膏或者各向异性导电膏电性连接。而且，此时，利用粘结剂等电容器元件41与电容器元件42接合，从而可提高可靠性。当通过这样的方式进行制造时，由于最终分别独立制造出的各个电容器元件层叠接合，因此可提高最终成品的良品率。
另外，如果由有机薄膜电容器构成电容器元件42，则可获得耐应力性优良的电容器。如果由陶瓷电容器构成电容器元件42，则可获得具有低ESR特性及低ESL特性的电容器。如果由固体电解电容器构成电容器元件42，则可利用与电容器元件41相同的工序制造出电容器元件42，可获得生产性优良的大容量电容器。
而且，如图2C所示，优选的是，在端子电极19、20之上设连接凸块36。当未设端子电极19、20时，也可以在通孔电极18上及上部电极15的取出部上设连接凸块36。从而，能够以最短的距离半导体装及电容器元件42接连接，从而提高高频区域内电源供给的性能。而且，通过电容器元件42的端子电极19、20之间的距离设为小于电容器元件41的阳极端子5与阴极端子4之间的距离，可以获得低ESL特性优良的电容器。
而且，通过利用焊接连接阴极端子4与下部电极14，并且利用焊接连接阳极端子5与上部电极15，从而提高安装性及可靠性。而且，通过利用导电性粘结剂连接阴极端子4与下部电极14，并且利用导电性粘结剂连接阳极端子5与上部电极15，从而提高生产性。而且，阳极端子5与上部电极15之间、阴极端子4与下部电极14之间也可以分别利用各向异性导电膏连接。由此，能够以狭窄的间距排列端子电极19、20。
而且，通过使用Al、Ta、Nb中的任一种来构成薄板1，从而可利用现有的技术即可获得大容量的电容器。而且，通过利用以Ag、Cu、或者Ag与Cu的混合物、Ag与Cu的合金中的任一种为主要成分的导电膏来形成阳极端子5、阴极端子4、端子电极19、20，从而可提高生产性。也可以根据需要分别由独立的材料构成。
接着，通过图3A对本实施方式其他例的电容器的结构进行说明。此处，图3A所示的电容器与图1中的电容器的不同之处在于在电容器元件41、42之间设有基板11。另外，图3A中也与图2A同样，未表示出固体电解质层。
在基板11上设有第一贯通电极12、第二贯通电极13。贯通电极13连接于下部电极14，介电层16设于下部电极14之上。上部电极15设于介电层16之上，上部电极15连接于贯通电极12。而且，阴极端子4、阳极端子5分别连接于贯通电极13、12。即，通孔电极2与下部电极14通过贯通电极13彼此电性连接，薄板1与上部电极15通过贯通电极12彼此电性连接。电容器元件42的端子电极19、20与图2A中的电极配相同。如此，通过满足各个特性的各电容器元件相接合，可提高产品的良品率。另外，在制造这样的电容器时，在基板11上预先形成电容器元件42，之后，该连接体连接安装于电容器元件41上。
如果在基板11中使用绝缘性材料，则可在基板11之上使用薄膜法来形成电容器元件42。而且，在检查了电容器元件42的特性之后，确定其特性并其安装到电容器元件41上，以此可高精度且有效地获得具有所需特性的电容器。进而，通过利用有机材料形成绝缘性基板11，可提高生产效率。作为有机材料，通过使用含有聚酰亚胺树脂、环氧树脂、苯酚树脂、硅树脂等中的至少一种的有机材料，能提高可靠性及生产性。
而且，也可以利用无机材料形成基板11。而且，通过利用含有氧化铝、玻璃、石英、陶瓷中的任一种的绝缘性材料形成基板11，可获得耐热等具有较高可靠性的电容器。
另一方面，如图3B所示，也可以在基板11中使用例如Cu、Ag、硅(Si)等具有导电性的金属材料。此时，同样由金属构成的电容器元件41的薄板1的膨胀系数与基板11的膨胀系数接近。因此，可提高可靠性并且可提高散热性。另外，图3B中也与图2A同样，未表示出固体电解质层。
而且，如果利用导电性材料构成基板11，则可以省去贯通电极12、13中的一个。如图3B所示，例如可无需贯通电极13，但是必须以使上部电极15及贯通电极12不与基板11导通的方式来设绝缘膜37。这样的结构，例如使用Cu基板作为基板11，并利用干式蚀刻来预先设通孔。其次，利用溅镀或蒸镀等方法，而在基板11上依次形成下部电极14、介电层16。此时，在通孔内、通孔周边也形成一部分介电层16，以此形成绝缘膜37。然后，在通孔内利用Ag纳米膏等形成贯通电极12。最后，利用溅镀或蒸镀等方法形成上部电极15。按照上述方式，能够使电容器元件42层叠形成为均匀的薄膜状。或者，如下所述，也可以在基板11上设用以形成贯通电极12、13的通孔之后，通过对整体进行热氧化处理在基板11的表面上形成氧化物的绝缘膜。
另外，在图3A、图3B所示电容器中，通过利用粘结剂基板11与电容器元件41接合，可提高生产性。
以下，对图3A所示电容器的制造方法的一例进行说明。首先，通过图4～图7说明电容器元件41的制造方法。
首先，准备在第一面1A上形成有多孔质层6的薄板1。多孔质层6可通过在Al等的薄板1上进行酸处理及热氧化处理获得。通过这些处理，也可在多孔质层6表面上形成介电层31。而且，在薄板1上利用冲压加工等形成通孔2A。接着，从薄板1的第二面1B侧开始，涂敷由树脂材料构成的绝缘材料3A。此时，树脂材料3A填充于薄板1的第二面1B侧表面，并且也填充于通孔2A的内部。而且，如图4所示，从薄板1的第一面1A侧开始喷射空气，去除通孔2A中残余的树脂材料3A，从而对通孔2A再次开孔。并且，进行加热，使树脂材料3A硬化。图3A中的绝缘膜3可利用上述方法形成。
此后，如图5所示，根据需要在薄板1的第一面1A侧外周部涂敷树脂并使其硬化，形成阴阳极分离部8。进而，例如利用化学聚合法、电解聚合法等方法，使聚噻吩等导电性高分子膜聚合于介电层31上，从而形成固体电解质层32。在其上涂敷碳膏，使其硬化形成较薄的碳层33。
之后，如图6所示，Ag膏涂敷碳层33上、并填充于通孔2A的内部，从而形成通孔电极2与阴极电极层9。此时，根据需要，也可以利用Ag膏，使得由Ag、Cu等构成的导电性加强板10贴合到阴极电极层9。以此，提高电容器元件41的机械强度，并且减小电阻值，从而，使电荷的提取变得容易。
接着，利用激光加工等，对绝缘膜3的预定位进行加工，从而形成阳极开口部5A，并露出薄板1的表层。其后，如图7所示，利用镀敷等方法，在通孔电极2的露出面及阳极开口部5A上形成端子4、5。使用以上方法，可形成电容器元件41。
其次，参照图8～图13，表示在基板11上制造电容器元件42的方法。首先，在Si的平板即基板11上，形成经图案化的抗蚀剂(未图示)等之后，利用干式蚀刻法等方法通孔12A、13A形成在预定部位。接着，通过对基板11进行热氧化处理，从而在基板11表面上形成SiO2绝缘膜(未图示)。其次，如图8所示，在通孔12A、13A中填充Ag纳米膏等，使其硬化形成贯通电极12、13。
接着，如图9所示，利用溅镀法等方法依次形成由Cu构成的下部电极14、以钛酸钡为主要成份的介电层16及由Cu构成的上部电极15。这些部分分别由金属掩模限定成膜部位、或者在整个面成膜后利用光刻法或蚀刻法形成为规定形状。
然后，如图10所示，在预定的位上形成盲孔18A。在形成盲孔18A时可使用激光加工或蚀刻等方法。而且，如图11所示，在盲孔18A的内壁上形成绝缘部17。绝缘部17可由以下方法形成，即，在例如使用感光性的聚酰亚胺等进行临时硬化之后，以使聚酰亚胺仅殘留在预定部位上之方式，在曝光后进行显影并进行真硬化。
然后，如图12所示，在盲孔18A中，印刷填充Ag或者Cu膏等并使其硬化，从而形成通孔电极18。而且，如图13所示，在通孔电极18之上及上部电极15的预定部位上形成端子电极19、20。如此，可制造出电容器元件42。端子电极19、20可利用溅镀法或光刻、蚀刻法形成。
以上说明的电容器元件41、42隔着基板11进行层叠、彼此连接。此时，利用膏等，阴极端子4与下部电极14通过贯通电极13导通连接，阳极端子5与上部电极15通过贯通电极12导通连接。如此可制造出电容器。而且，根据需要，如图3A所示，可通过形成绝缘保护层21而制造出可靠性与有效性得到提高的电容器。
如上所述，在本实施方式的电容器中，电容器元件42可实现低ESL特性，并且可利用电容器元件41确保大容量。因此，可获得高频特性优良的电容器。如上所述，通过组合特性不同的电容器元件，可用于多种用途。即，这些各电容器元件中，由于内部具有通孔电极在内部导出逆向电流的流动，因此，可使因电流产生的磁场自行抵消。以此，最小化因磁场引起的ESL的值。尤其，由于电容器元件42中形成有多个通孔电极18，所以其效果显著。通过这样的电容器元件42与容量较大的电容器元件41相结合，可使用在要求高精度的安装技术的电子设备中。
(实施方式2)图14是本发明实施方式2的电容器的剖面图。电容器元件41与实施方式1中相同。作为第二电容器元件的电容器元件43与实施方式1中的电容器元件42的不同之处在于电容器元件43具有层叠构造。另外，图14中也与图2A同样，未表示出固体电解质层。
在电容器元件43中，作为第一电极的内层电极34与作为第二电极的内层电极35设在介电层16的内层。换而言之，内层电极34与内层电极35是隔着介电层16交替层叠的。而且，第二通孔电极22与内层电极34导通，并且第三通孔电极(以下称作通孔电极)23与内层电极35导通，且与内层电极34绝缘。通孔电极22、23在宏观上贯通介电层16。内层电极34与内层电极35是以不会通过通孔电极22、23相互短路之方式图案化的。在图14中，可观察到各通孔电极22之间相互独立，但是这些电极是通过多个内层电极34相互电性连接。在各内层电极34、35的外表面21A侧上设有端子电极19、20。
而且，通孔电极23中的任一个与电容器元件41的阳极端子5连接，且通孔电极22中的任一个与阴极端子4连接。因此，内层电极34连接于电容器元件41的阳极端子5，内层电极35连接于阴极端子4。
具有这样的结构的层叠型电容器元件43与电容器元件41层叠并连接，以此可实现更大的容量且可实现低ESR化。因此，可获得具有更优良特性的电容器。作为具有这样的层叠结构的电容器元件43包括薄膜电容器、有机薄膜电容器、层叠陶瓷电容器等。
产业上的可利用性本发明的电容器的生产性优良，且可实现低ESL化及大容量化。因此，可适用于以MPU等去耦电容器为代表的需要低阻抗特性的电子设备等中。
权利要求
1.一种电容器，其包括第一电容器元件及第二电容器元件，所述第一电容器元件具有阀金属薄板体，其在第一面上设有多孔质层；介电被膜，其形成于所述多孔质层上；固体电解质层，其形成于所述介电被膜上；集电体层，其形成于所述固体电解质层上；以及第一通孔电极，其设置为与所述集电体层导通而与所述阀金属薄板体绝缘，且所述阀金属薄板体从所述第一面贯通至与所述第一面相向的第二面，所述第二电容器元件具有介电层；第一电极与第二电极，两者设置为通过所述介电层相互绝缘，且所述第一电极电性连接于所述第一通孔电极，所述第二电极电性连接于所述阀金属薄板体；多个第二通孔电极，其设置为贯通所述介电层，且与所述第一电极连接并且与所述第二电极绝缘；以及多个所述第二电极的取出部，其从所述介电层露出，并且，所述多个第二通孔电极与所述多个取出部交替配置，且所述第二电容器元件层叠于构成所述第一电容器元件的所述阀金属薄板体的所述第二面侧。
2.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，在所述第二电容器元件中，层叠有所述第一电极、所述介电层及所述第二电极。
3.根据权利要求2所述的电容器，其特征在于，所述第二电容器元件为薄膜电容器。
4.根据权利要求2所述的电容器，其特征在于，所述第二电容器元件为有机薄膜电容器。
5.根据权利要求2所述的电容器，其特征在于，所述第二电容器元件为陶瓷电容器。
6.根据权利要求2所述的电容器，其特征在于，所述第二电容器元件为固体电解电容器。
7.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，还包括分别设于所述第二通孔电极上及所述取出部上的连接凸块。
8.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一电容器元件还具有露出于所述第二面且连接于所述第一通孔电极的阴极端子。
9.根据权利要求8所述的电容器，其特征在于，所述阴极端子由以银、铜、银与铜的混合物、银与铜的合金中的任一种为主要成分的导电膏构成。
10.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一电容器元件还具有露出于所述第二面且连接于所述阀金属薄板体的阳极端子。
11.根据权利要求10所述的电容器，其特征在于，所述阳极端子由以银、铜、银与铜的混合物、银与铜的合金中的任一种为主要成分的导电膏构成。
12.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一电容器元件还具有露出于所述第二面且连接于所述第一通孔电极的阴极端子；以及露出于所述第二面且连接于所述阀金属薄板体的阳极端子，并且，所述阴极端子与所述第一电极、所述阳极端子与所述第二电极分别利用焊锡连接。
13.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一电容器元件还具有露出于所述第二面且连接于所述第一通孔电极的阴极端子；以及露出于所述第二面且连接于所述阀金属薄板体的阳极端子，并且，所述阴极端子与所述第一电极、所述阳极端子与所述第二电极分别利用导电性粘结剂连接。
14.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第二电容器元件还具有露出于外表面且连接于所述第二通孔电极的第一端子电极。
15.根据权利要求14所述的电容器，其特征在于，所述第一端子电极由以银、铜、银与铜的混合物、银与铜的合金中的任一种为主要成分的导电膏构成。
16.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第二电容器元件还具有露出于外表面且连接于所述取出部的第二端子电极。
17.根据权利要求16所述的电容器，其特征在于，所述第二端子电极由以银、铜、银与铜的混合物、银与铜的合金中的任一种为主要成分的导电膏构成。
18.根据权利要求16所述的电容器，其特征在于，所述第二电容器元件还具有露出于外表面且连接于所述第二通孔电极的第一端子电极，并且，还包括分别设于所述第一端子电极上及所述第二端子电极上的连接凸块。
19.根据权利要求16所述的电容器，其特征在于，所述第一电容器元件还具有露出于所述第二面且连接于所述第一通孔电极的阴极端子；以及露出于所述第二面且连接于所述阀金属薄板体的阳极端子，所述第二电容器元件还具有露出于外表面且连接于所述第二通孔电极的第一端子电极，所述第一端子电极与所述第二端子电极之间的距离，小于所述阳极端子与所述阴极端子之间的距离。
20.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述第一电容器元件还具有露出于所述第二面且连接于所述第一通孔电极的阴极端子；以及露出于所述第二面且连接于所述阀金属薄板体的阳极端子，所述阴极端子与所述第一电极、所述阳极端子与所述第二电极分别利用各向异性导电膏连接。
21.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述阀金属薄板体由铝、钽、铌中的任一种构成。
22.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，还包括基板，其设于所述第一电容器元件与所述第二电容器元件之间，且具有与所述第一通孔电极及所述第一电极电性连接的第一贯通电极；以及与所述阀金属薄板体及所述第二电极电性连接的第二贯通电极。
23.根据权利要求22所述的电容器，其特征在于，所述基板由绝缘性材料构成。
24.根据权利要求23所述的电容器，其特征在于，所述绝缘性材料为有机材料。
25.根据权利要求24所述的电容器，其特征在于，所述有机材料至少含有聚酰亚胺树脂、环氧树脂、苯酚树脂、硅树脂中的任一种。
26.根据权利要求23所述的电容器，其特征在于，所述绝缘性材料为无机材料。
27.根据权利要求26所述的电容器，其特征在于，所述无机材料至少含有氧化铝、玻璃、石英、陶瓷中的任一种。
28.根据权利要求22所述的电容器，其特征在于，所述基板由导电性材料构成。
29.根据权利要求28所述的电容器，其特征在于，所述导电性材料为金属。
30.根据权利要求29所述的电容器，其特征在于，所述金属为铜、银、硅中的任一种。
31.根据权利要求22所述的电容器，其特征在于，所述基板与所述第一电容器元件利用粘结剂接合。
32.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，还包括由导电性材料构成的基板，该基板设于所述第一电容器元件与所述第二电容器元件之间，且该基板具有与所述第一通孔电极及所述第一电极电性连接且与所述阀金属薄板体及所述第二电极绝缘的第一贯通电极及与所述阀金属薄板体及所述第二电极电性连接且与所述第一通孔电极及所述第一电极绝缘的第二贯通电极中的任一个。
33.根据权利要求32所述的电容器，其特征在于，所述基板与所述第一电容器元件利用粘结剂接合。
34.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，在所述第二电容器元件中，所述第一电极、所述第二电极分别形成于所述介电层的内层，且该电容器还设有与所述第二电极连接且与所述第一电极绝缘并贯通所述介电层的第三通孔。
35.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，还包括贴合到所述集电体层上的加强板。
全文摘要
本发明的电容器具有第一电容器元件、以及层叠于该第一电容器元件上的第二电容器元件。第一电容器元件是设有贯通阀金属薄板体的通孔电极，且在其中一面上取出阴极、阳极端子部的固体电解质电容器。第二电容器元件具有隔着介电层设的第一电极、第二电极；以及贯通介电层的第二通孔电极。第二通孔电极连接于第一电极，并且与第二电极绝缘。第二电极的取出部从介电层露出。而且，第二通孔电极与取出部交替配置。第一电极电性连接于第一通孔电极，第二电极电性连接于阀金属薄板体。
文档编号H01G9/004GK1998056SQ20058002242
公开日2007年7月11日 申请日期2005年7月7日 优先权日2004年7月15日
发明者三木胜政, 藤井达雄, 御堂勇治, 木村凉 申请人:松下电器产业株式会社