技术编号：6867204
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明特别涉及在半导体装置的布线形成工序中使用的化学机械研磨(CMP)用研磨液。背景技术 伴随着LSI的高性能化，作为LSI制造工序中的微细加工技术，主要使用嵌刻(damascene)法，该方法是在预先形成有沟的绝缘膜上使用电镀法埋入铜后，使用化学机械研磨(CMP)法除去用于形成布线的沟部以外的过剩的铜，由此形成布线。一般CMP中使用的研磨液，包括氧化剂和固体粒子，根据需要添加保护膜形成剂、氧化金属用溶解剂等。作为固体粒子，已知数十nm左右的氧化硅、氧化铝...
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