技术编号：6867596
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及场效应晶体管(FET)领域；更具体地，涉及高迁移率p沟道场效应晶体管(PFET)以及制造高迁移率PFET的方法。背景技术 现有的金属氧化硅(CMOS)技术用在许多集成电路中。CMOS技术采用通常简化为NFET的n沟道金属氧化硅场效应晶体管(n-MOSFET)和通常简化为PFET的p沟道金属氧化硅场效应晶体管(p-MOSFET)。传统的NFET和PFET在该领域中已为人们所熟知，其包括在形成在单晶硅中的沟道区的相对侧的源极区和漏极区，和形成在栅电介...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。