技术编号:6868396
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氮化物半导体发光二fe管(LED)及其制造方法。 背景技术通常,GaN-基氮化物半导体被应用于蓝绿发光二极管(LED) 的光学器件和作为高速开关和高功率器件例如MESFET和HEMT 的电子器件。特别地,蓝绿LED被大规模生产,并且其全球销量正 在呈指数增长。这种GaN-基氮化物半导体发光二极管主要生长在蓝宝石衬底或 SiC衬底上。接着,在蓝宝石衬底或SiC衬底上于低生长温度下生 长多晶AlyGaLyN薄膜作为緩冲层。之后,在高温下在緩冲层上形成...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。