专利名称：氮化物半导体led及其制造方法
技术领域：
本发明涉及氮化物半导体发光二fe管(LED)及其制造方法。
背景技术：
通常，GaN-基氮化物半导体被应用于蓝绿发光二极管(LED) 的光学器件和作为高速开关和高功率器件例如MESFET和HEMT 的电子器件。特别地，蓝绿LED被大规模生产，并且其全球销量正 在呈指数增长。
这种GaN-基氮化物半导体发光二极管主要生长在蓝宝石衬底或 SiC衬底上。接着，在蓝宝石衬底或SiC衬底上于低生长温度下生 长多晶AlyGaLyN薄膜作为緩冲层。之后，在高温下在緩冲层上形成 未掺杂的GaN层、硅(Si)掺杂的N-GaN层或具有其组合结构的 N-GaN层。在GaN层上形成镁(Mg)掺杂的P-GaN层以完成氮化 物半导体发光二极管。发光层(多量子阱结构的有源层)夹在N-GaN 层和P-GaN层之间。
P-GaN层通过在其晶体生长中掺杂镁(Mg)原子而形成。掺杂 的Mg原子应该替代镓(Ga )，由此使GaN层能够用作P-GaN层， 但是其与从载气和源释放的氢气结合，从而在GaN结晶层中形成 Mg-H组合物并成为具有约IOMO的高电阻的材料。
因此，为了在形成PN结发光二极管之后分离Mg-H组合物和用 镓(Ga)替代Mg原子，需要后续活化过程。然而，该发光二极管 的缺点在于在活化过程中对发光有贡献的栽流子数目为约1017/cm3, 这大大低于1019/cm3以上的Mg原子浓度，因此m^形成电阻接触。
为了改善这一缺点，提出 一种使用极薄的抗透射金属材料来降低 接触电阻的方法，由此提高电流注入的效率。然而，用于降低接触 电阻的薄抗透射金属通常具有约75%到80%的光透射率，其余成为 损失。此外，为了提高内部量子效率，如果不改进发光二极管的设
计以及发光层和P-GaN层的结晶度，则在氮化物半导体自身的晶体 生长中对于提高光输出存在限制。
此外，在上述发光二极管的结构中，当对N-GaN层和P-Gan层 施加偏压电压时，电子和空穴被注入N-型和P-型氮化物半导体层中， 并在发光层中重新结合，由此发光。在此，缺点在于发光二极管发 射的光在P-GaN层和接触层的边界处再次被部分反射回内部，由此 降低光输出
发明内容
技术问题
本发明的目的是提供一种具有在结晶度、光输出和可靠性上得到 改善的有源层的氮化物半导体发光二极管及其制造方法。
技术方案
为了实现这些和其它优点并符合本发明的目的，如所具体而广泛 描述的，提供一种氮化物半导体发光二极管，包括衬底；形成在 所述衬底上的緩冲层；形成在所述緩冲层上的In-掺杂的GaN层； 形成在所述In-掺杂的GaN层上的第一电极层；形成在所述第一电 极层上的IiixGa^N层；形成在所述Ii^Ga^N层上的有源层；形成 在所述有源层上的第一 P-GaN层；形成在所述第一 P-GaN层上的 第二电极层；部分突出在所述第二电极层上的第二 P-GaN层；和形 成在所述第二 P-GaN层上的第三电极层。
所述第二和第三电极层利用其铟含量顺序变动的超梯度(super grading ) IiixGa^N层、InGaN/InGaN超晶格结构层、或 InGaN/AlInGaN超晶格结构层形成。
第二电极层和/或第三电极层还具有被施加偏压电压的透明电极。
所述透明电极由透明金属氧化物或抗透射金属形成，并且选自氧 化铟锡(ITO )、氧化锌(ZnO )、氧化铱(IrOx )、氧化钌(RuOx )、 氧化镍(NiO )和含镍的金(Au)合金。
在本发明的另一方面，提供一种氮化物半导体发光二极管，包括 衬底；形成在所述衬底上的緩冲层；形成在所述緩冲层上的In-掺杂 的GaN层；形成在所述In-掺杂的GaN层上的第一电极层；形成在所述第一电极层上的第一 InxGa^xN层；形成在所述第一 Ii^Ga^N 层上的有源层；形成在所述有源层上的P-GaN层；和形成在所述 P-GaN层上并具有顺序变动的铟含量的超梯度第二 N-IiixGa^N层。
在本发明的又一方面，提供一种氮化物半导体发光二极管，包括 衬底；形成在所述衬底上的緩冲层；形成在所述緩冲层上的In-掺杂 的GaN层；形成在所述In-掺杂的GaN层上的第一电极层；形成在 所述第一电极层上的IiixGa^N层；形成在所述Ii^Ga^N层上的有 源层；形成在所述有源层上的P-GaN层；和形成在所述P-GaN层 上的InGaN/AlInGaN超晶格结构层。
在本发明的再一方面，提供一种制造氮化物半导体发光二极管的 方法，该方法包括在衬底上形成緩冲层；在所述緩冲层上形成In-掺杂的GaN层；在所述In-掺杂的GaN层上形成第一电极层；在所 述第一电极层上形成第一 IiixGa^N层；在所述第一 Ii^Ga^N层上 形成有源层；在所述有源层上形成第一 P-GaN层；在所述第一 P-GaN 层上形成第二电极层；和在所述第二电极层上形成部分突出的第二 P-GaN层和第三电极层。
有益的效果
根据本发明，优点在于氮化物半导体发光二极管的有源层可以在 结晶度、光输出和可靠性方面得到改善。
图1示意性说明根据本发明第一实施方案的氮化物半导体发光 二极管的分层结构；
图2示意性说明才艮据本发明第二实施方案的氮化物半导体发光 二极管的分层结构；和
图3示意性说明根据本发明第三实施方案的氮化物半导体发光 二极管的分层结构。
具体实施例方式
下文中，将参考附图详细描述本发明的优选实施方案。
图1示意性说明根据本发明第一实施方案的氮化物半导体发光 二极管的分层结构。在本发明的氮化物半导体发光二极管1中，如图1所示，在衬底
2上形成緩冲层4。緩冲层4可以形成为具有AlInN/GaN分层结构、 IiixGa^N/GaN分层结构和AlxInyGaWx+y)N/ InxGa^N/GaN分层结构 中的任意其一。
在緩冲层4上形成In-掺杂的GaN层6，并且在In-掺杂的GaN 层6上形成N-型第一电极层。N-型第一电极层可釆用其中同时掺杂 珪(Si)和铟(In )的Si-In共掺杂的GaN层8。
此外，在Si-In共掺杂的GaN层8上形成具有低铟含量的低摩 尔第一 IiixGa^N层10，并且在第一 IiixGa^N层10上形成发光有 源层12。有源层12可以提供为单量子阱结构或具有InGaN阱层 /InGaN势垒层的多量子阱结构。其分层结构将随后参考图3来更详 细地描述。
之后，在有源层12上形成第一P-GaN层14。第一 P-GaN层14 可具有掺杂在其中的镁。
在第一 P-GaN层14上形成N-型第二电极层。N-型第二电极层 可采用其能带隙通过顺序改变铟组成来控制的超梯度N-InxGai—xN 层16。超梯度N- In,Ga^N层16可形成为具有0到0.2的组成范围 (x)o
考虑到第一电极层8和第二电极层16均由N-型GaN形成，并 且其间插入有第一GaN层14,因此本发明的氮化物半导体发光二极 管可被分析为具有不同于相关技术的PN结发光二极管的NPN结发 光二极管结构。
第二 P-GaN层18部分形成在超梯度N-IHxGa"xN层16上，具 有突出的凸起形状，并且作为第三电极层的N-InxGa^N层20形成 在第二 P-GaN层18上。第二 P-GaN层18和第三电极层20与第一 P-GaN层14和第二电极层具有相同的或相似的结构，并且可以通过 以下制造方法形成。
换言之，首先，在超梯度N-InxGa^N层16上部分形成绝缘膜 以部分暴露出超梯度N-IiixGa^N层16。之后，在暴露的超梯度 N画InxGaLxN层16上形成第二 P-GaN层18和N-IiixGa^N层20。接 着，移除所述绝缘膜。
此时，利用各种类型的绝缘膜选择性实施掩蔽，并且可以再次在
第二电极层16上生长N/P氮化物半导体20和18以具有各种类型的 尺寸、形状和深度。根据本发明，可以通过选择性移除用绝缘膜掩 蔽的部分并在发光二极管表面上形成锯齿状部分(凸起部分)来提 高外部量子效率。
在相关技术的PN结发光二极管中，其表面被部分蚀刻和形成锯 齿形状(凸起形状)。这种蚀刻技术的缺点在于导致P-GaN表面损 伤，并因此增大接触电阻，从而降低电流注入效率和降低光输出。 此外，其缺点在于当施加大电流时，高接触电阻导致生热，因而导 致对器件可靠性的严重影响。
此外，用作第二和第三电极层的N-型氮化物半导体(例如，超 梯度N-InxGa^N层16和20 )具有比相关技术的P-GaN接触层更低 的电阻，因此可以降低其接触电阻，由此使电流注入最大化。此夕卜， 第二和第三电极层可以釆用所有透光电极和不透光电极作为施加偏
压电压的电极。透光电极可以采用具有电流分布最大化和优异的透 光性的抗透射金属层或透射金属-氧化物层，从而使光输出最大化。 该材料可釆用氧化铟锡(ITO )、氧化锌(ZnO )、氧化铱(IrOx )、 氧化钌(RuOx )、氧化镍(NiO )或含镍(Ni)的金(Au )合金。 可以在第二电极层16和第三电极层20上形成电极。
图2示意性说明根据本发明第二实施方案的氮化物半导体发光 二极管的分层结构。
在本发明的氮化物半导体发光二极管21中，只有第二和第三电 极层不同于氮化物半导体发光二极管1中的第二和第三电极层。因 此，以下将只描述第二和第三电极层。
换言之，在本发明的氮化物半导体发光二极管21中，第一和第 二 InGaN/AlInGaN超晶格结构层26和30形成为第二和第三电极 层。InGaN/AlInGaN超晶格结构层还可以具有掺杂在其中的硅。
通过形成上述分层结构，可以实现N/P/N发光二极管。N/P/N发 光二极管在其表面上利用绝缘膜来选择性掩蔽，只有N/P氮化物半 导体再次生长，并且随后移除所述选择性掩蔽的绝缘膜，由此完成 具有凸起(锯齿)形状的发光二极管。
虽然没有在附图中示出，但是第一和第二 InGaN/InGaN超晶格 结构也可以形成为第二和第三电极层，并且也可以具有掺杂在其中 的硅。
因此，将参考图3详细描^4根据本发明的氮化物半导体发光二 极管31中采用的有源层的结构。图3示意性说明根据本发明第三实 施方案的氮化物半导体发光二极管的分层结构。在图3的分层结构 中，将省略图l的层(相同的附图标记指示)的描述。
如图3所示，本发明的氮化物半导体发光二极管31具有含用于 控制有源层应变的低铟含量的低摩尔InxGai.xN层10，以便提高外 部量子效率。此外，本发明的氮化物半导体发光二极管31在低摩尔 InxGa^N层10之下和之上还包括被控制在原子尺度上的第一 SiNx 簇层33和第二 SiNx簇层35，以便改善由于铟波动导致的背面漏电 流和光输出。
此外，发射光的有源层可以形成为具有单量子阱结构或由 InyGai_yN阱层/InzGa^N势垒层构成的多量子阱结构。
图3示出具有多量子阱结构的发光二极管的实施例，所述多量子 阱结构还包括分别夹在InyGaLyN阱层37和43与InzGa^N势垒层 41和47之间的SiNx蔟层39和45。在此，InyGa^N阱层/SiNx簇层 /InzGa^N势垒层还可以被控制成具有0<y<0.35和0<z<0.1的組成 比，从而提高有源层的发光效率。考虑到与具有低锢含量的低摩尔 InxGa^N层10的关系，掺杂到InyGa^N阱层37和43/InzGaLzN 势垒层41和47中的铟含量和摻杂到低^尔IiixGa^N层10中的铟 含量可以被控制成具有0<x<0.1、 0<y<0.35和0<z<0.1的值。
虽然在附图中没有示出，但^1还可以在构成有源层的InyGai_yN 阱层和InzGaLZN势垒层之间形成用于控制InyGa^yN阱层的In波动 量的GaN覆盖层。在此，发射光的阱层和势垒层可以分别具有提供 InyGaLyN((Xy〈0,35)/GaN覆盖层/InzGaLzN (0〈z〈0.1)构造的铟含量。
在生长具有单量子阱结构或多量子阱结构的有源层的最后一层 之后，再次在原子尺M度上生长SiNx层，由此抑制第一P-GaN层 14的镁(Mg)扩散到有源层中。
图3示出第二电M采用超梯度N-InxGa^N层16的情况，但
是第二电极层还可以采用InGaN/AlInGaN超晶格结构层或 InGaN/InGaN超晶格结构层。
虽然在以上实施方案中(图1到3 )没有示出，但是在部分蚀刻 直至氮化物半导体的第一电极层之后，在第一电极层上形成第一电 极层的电极(电极垫)，并且可以在第二或第三电极层上形成的透明 电极上也形成电极垫。
如上所述，在本发明的氮化物半导体发光二极管中，可以应用 N/P/N结发光二极管结构以降低操作电压，同时改善电流注入，由 此改善由于在相关技术的P/N结发光二极管中用作P-型电极层的 P-GaN层自身的高接触电阻导致的电流集中现象。只有N/P结层利 用绝缘膜再次选择性生长，并且在发光二极管表面上形成锯齿状部 分(凸起部分)，由此提高外部量子效率。
本发明的氮化物半导体发光二极管是(N/P)/N/P/N结发光二极 管，用于减少发生在部分蚀刻的相关技术的P-GaN层中的表面损伤 以及其操作电压、提高发光二极管的外部量子效率、通过再生长提 供优异的结晶度、和根本改善外部量子效率。
此外，本发明的氮化物半导体发光二极管具有包含由N-型氮化 物半导体形成的第一电极层和第二电极层的结构，并且尤其是改善
第二电^bi:的接触电阻，由此提高光输出。 工业实用性
在根据本发明的氮化物半导体发光二极管及其制造方法中，构 成氮化物半导体发光二敗管的有源层在结晶度、光输出和可靠性方 面得到改善。
权利要求
1. 一种氮化物半导体发光二极管，包含衬底；形成在所述衬底上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的In-掺杂的GaN层；形成在所述In-掺杂的GaN层上的第一电极层；形成在所述第一电极层上的InxGa1-xN层；形成在所述InxGa1-xN层上的有源层；形成在所述有源层上的第一P-GaN层；形成在所述第一P-GaN层上的第二电极层；部分突出在所述第二电极层上的第二P-GaN层；和形成在所述第二P-GaN层上的第三电极层。
2. 根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中利用 AlInN/GaN分层结构、InGaN/GaN超晶格结构、IiixGa^N/GaN分 层结构和AlJnyGawx+y)N/InxGaLxN/GaN分层结构中的所选其一来 形成所述緩冲层。
3. 根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中所述第 一电极 层是硅和铟共掺杂的GaN层。
4. 根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中在所述 InxGa^N层之下和之上还分别形成第一 SiNx簇层和第二 SiNx簇层。
5. 根据权利要求4的氮化物半导体发光二极管，其中所述第 一和第 二 SiNx簇层形成为具有原子尺度的厚度。
6. 根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中所述有源层具 有单量子阱结构或由InyGai_yN阱层/InzGa^N势垒层构成的多量子 阱结构。
7. 根据权利要求5的氮化物半导体发光二极管，其中还在构成所述 有源层的所述阱层和所述势垒层之间形成SiK簇层。
8. 根据权利要求6的氮化物半导体发光二极管，其中还在构成所述 有源层的所述IiiyGa^yN阱层和所述InzGaLzN势垒层之间形成SiNx 襄层。
9. 根据权利要求6的氮化物半导体发光二极管，其中还在构成所述 有源层的所述InyGa1-yN阱层和所述InzGa1-zN势垒层之间形成GaN 覆盖层。
10. 根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中还在所述有源 层和所述第一 P-GaN层之间形成SiNx簇层。
11. 根据权利要求7的氮化物半导体发光二极管，其中所述SiNx簇 层形成为具有原子尺度的厚度。
12. 根据权利要求8的氮化物半导体发光二极管，其中所述SiNx簇 层形成为具有原子尺度的厚度。
13. 根据权利要求10的氮化物半导体发光二极管，其中所述SiNx簇 层形成为具有原子尺度的厚度。
14. 根据权利要求6的氮化物半导体发光二极管，其中掺杂到所述 InyGa1-yN阱层/所述InzGa1-zN势垒层的铟含量和掺杂到所述 InxGa1-xN层中的铟含量分别具有0<x<0.1、 0<y<0.35和0<z<0.1的 值。
15. 根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中所述第一 P-GaN层具有掺杂在其中的镁(Mg)。
16. 根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中所述第二电极 层和/或所述第三电极层是其铟含量顺序变动的超梯度InxGa1-xN层。
17. 根据权利要求16的氮化物半导体发光二极管，其中所述超梯度 InxGa1-xN层具有0<x<0.2的范围。
18. 根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中所述第二电极 层和/或所述第三电极层具有InGaN/InGaN或InGaN/AlInGaN超晶 格结构。
19. 根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中所述第二电极 层和/或所述第三电极层具有掺杂在其中的硅(Si)。
20. 根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中所述InxGa1-xN 层是具有低铟含量的低摩尔InxGa1-xN层。
21. 根据权利要求1的氮化物半导体发光二极管，其中所述电极层是 N-型氮化物半导体。
22. 根据权利要求l的氮化物半导体发光二极管，其中所述第二电极 层和/或所述第三电极层还具有电极。
23. 根据权利要求22的氮化物半导体发光二极管，其中所述电极由 透射金属氧化物或抗透射金属形成。
24. 根据权利要求23的氮化物半导体发光二极管，其中所述透射金 属氧化物由氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铱(IrOx)、氧 化钌(RuOx)和氧化镍(NiO)中的所选其一形成。
25. 根据权利要求23的氮化物半导体发光二极管，其中所述抗透射 金属由舍镍(Ni)的金(Au)合金形成。
26. 根据权利要求22的氮化物半导体发光二极管，其中所述电极形 成在所述第二电极层和所述第三电极层上。
27. —种氮化物半导体发光二极管，包含 衬底；形成在所述衬底上的緩冲层； 形成在所述緩沖层上的In-掺杂的GaN层； 形成在所述In-掺杂的GaN层上的第一电极层； 形成在所述第一电极层上的第一 InxGai_xN层； 形成在所述第一 InxGa^N层上的有源层； 形成在所述有源层上的P-GaN层；和形成在所述P-GaN层上并具有顺序变动的铟含量的超梯度第二 N-InxGai-xN层。
28. 根据权利要求27的氮化物半导体发光二极管，其中利用 AlInN/GaN分层结构、InGaN/GaN超晶格结构、InxGaLXN/GaN分 层结构和AlxIiiyGaL(x+y)N/IiixGaLxN/GaN分层结构中的所选其一来 形成所述緩冲层。
29. 根据权利要求27的氮化物半导体发光二极管，其中所述 InxGaLXN层是具有低铟含量的低摩尔InxGaLXN层。
30. 根据权利要求27的氮化物半导体发光二极管，其中所述第一电 极层是珪和铟共掺杂的GaN层。
31. 根据权利要求27的氮化物半导体发光二极管，其中在所述 InxGa^N层之下和之上还分别形成第一 SiNx蔟层和第二 SiNx簇层。
32. 根据权利要求27的氮化物半导体发光二极管，其中所述有源层 具有单量子阱结构或由InyGai.yN阱层/InzGa^N势垒层构成的多量 子阱结构。
33. 根据权利要求27的氮化物半导体发光二极管，其中还在构成所 述有源层的所述阱层和所述势垒层之间形成SiNx簇层。
34. 根据权利要求32的氮化物半导体发光二极管，其中还在构成所 述有源层的所述InyGaLyN阱层和所述InzGa^N势垒层之间形成 GaN覆盖层。
35. 根据权利要求27的氮化物半导体发光二极管，其中还在所述有 源层和所述P-GaN层之间形成SiNx蔟层。
36. 根据权利要求32的氮化物半导体发光二极管，其中掺杂到所述 InyGai_yN阱层/所述InzGai.zN势垒层的铟含量和掺杂到所述第一 InxGaLxN层中的铟含量分别具有0<x<0.1、 0<y<0.35和0<z<0.1的 值。
37. —种氮化物半导体发光二极管，包含衬底；形成在所述衬底上的緩冲层；形成在所述緩冲层上的In-掺杂的GaN层；形成在所述In-掺杂的GaN层上的第一电极层；形成在所述第一电极层上的IiixGa^N层；形成在所述IiixGa^N层上的有源层；形成在所述有源层上的P-GaN层；和形成在所述P-GaN层上的InGaN/AlInGaN超晶格结构层。
38. 根据权利要求37的氮化物半导体发光二极管，其中利用 AlInN/GaN分层结构、InGaN/GaN超晶格结构、InxGa^N/GaN分层结构和AlxInyGah(x+y)N/InxGaLxN/GaN分层结构中的所选其一来 形成所述緩冲层。
39. 根据权利要求37的氮化物半导体发光二极管，其中所述 InxGai_xN层是具有低铟含量的低摩尔InxGa^N层。
40. 根据权利要求37的氮化物半导体发光二极管，其中所述第一电 极层是硅和铟共掺杂的GaN层。
41. 根据权利要求37的氮化物半导体发光二极管，其中在所述 InxGa^N层之下和之上还分别形成第一 SiNx簇层和第二 SiNx簇层。
42. 根据权利要求37的氮化物半导体发光二极管，其中所述有源层 具有单量子阱结构或由InyGai.yN阱层/InzGa^N势垒层构成的多量 子阱结构。
43. 根据权利要求37的氮化物半导体发光二极管，其中还在构成所 述有源层的所述阱层和所述势垒层之间形成SiK簇层。
44. 根据权利要求42的氮化物半导体发光二极管，其中还在构成所 述有源层的所述InyGaLyN阱层和所述IrizGa^N势垒层之间形成 GaN覆盖层。
45. 根据权利要求37的氮化物半导体发光二极管，其中还在所述有 源层和所述P-GaN层之间形成SiNx蔟层。
46. 根据权利要求42的氮化物半导体发光二极管，其中掺杂到所述 InyGai_yN阱层/所述InzGai_zN势垒层的铟含量和掺杂到所述第一 InxGa^N层中的铟含量分别具有0<x<0.1、 0<y<0.35和0<z<0.1的 值。
47. —种制造氮化物半导体发光二极管的方法，该方法包括 在衬底上形成緩沖层；在所述緩冲层上形成In-掺杂的GaN层； 在所述In-掺杂的GaN层上形成第一电极层； 在所述第一电极层上形成第一 InxGa1-xN层； 在所述第一 InxGa1-xN层上形成有源层； 在所述有源层上形成第一 P-GaN层；在所述第一P-GaN层上形成第二电极层；和在所述第二电极层上形成部分突出的第二 P-GaN层和第三电极层。
48. 根据权利要求47的方法，其中所述第一电极层是珪和铟共掺杂 的GaN层。
49. 根据权利要求47的方法，还包括在形成所述第一 InxGai-xN 层之前和之后分别形成第一 SiN,簇层和第二 SiNx蔟层。
50. 根据权利要求47的方法，其中所述有源层具有单量子阱结构或 由InyGai.yN阱层/InzGa^N势垒层构成的多量子阱结构。
51. 根据权利要求47的方法，还包括在形成构成所述有源层的所 述阱层和所述势垒层的步骤之间形成SiK簇层。
52. 根据权利要求50的方法，还包括在形成构成所述有源层的所述lnyGa1-y阱层和所述InzGa1-Z势垒层的步骤之间形成GaN覆盖层。
53. 根据权利要求47的方法，还包括在形成所述有源层和所述 P-GaN层的步骤之间形成SiNx蔟层。
54. 根据权利要求47的方法，其中所述第二电极层和/或所述第三电极层是其铟含量顺序变动的超梯度InxGai.xN层。
55. 根据权利要求47的方法，其中所述第二电极层和/或所述第三电极层具有InGaN/InGaN或InGaN/AlInGaN超晶格结构。
56. 根据权利要求55的方法，其中所述第二电极层和/或所述第三电极层具有掺杂在其中的硅(Si)。
57. 根据权利要求47的方法，其中形成所述第二 P-GaN层和所述第三电极层包括在所述第二电极层上部分形成绝缘膜，并且部分暴露出所述第二电极层；在暴露的所述第二电极层上形成P-GaN层和第三电极层；和移除所述绝缘膜。
58. 根据权利要求47的方法，还包括在形成所述第二P-GaN层和所述第三电极层之后，在所述第二电极层上形成电极。
59. 根据权利要求58的方法，其中所述电极有透射金属氧化物或抗 透射金属形成。
60. 根据权利要求59的方法，其中所述透射金属氧化物由氧化铟锡 (ITO )、氧化锌(ZnO )、氧化铱(IrOx )、氧化钌(RuOx)和氧化镍(NiO)中的所选其一形成。
61. 根据权利要求59的方法，其中所述抗透射金属由舍缘(Ni)的 金(Au)合金形成。
62. 根据权利要求58的方法，其中所述电极形成在所述第二电极层 和所述第三电极层上。
全文摘要
根据本发明的一种氮化物半导体发光二极管，包括衬底；形成在所述衬底上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的In-掺杂的GaN层；形成在所述In-掺杂的GaN层上的第一电极层；形成在所述第一电极层上的In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层；形成在所述In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层上的有源层；形成在所述有源层上的第一P-GaN层；形成在所述第一P-GaN层上的第二电极层；部分突出在所述第二电极层上的第二P-GaN层；和形成在所述第二P-GaN层上的第三电极层。
文档编号H01L33/42GK101208809SQ200580039804
公开日2008年6月25日 申请日期2005年7月6日 优先权日2005年7月6日
发明者李昔宪 申请人:Lg伊诺特有限公司