发光元件封装和包括该发光元件封装的发光装置的制作方法

实施例涉及一种发光器件封装和包括该封装的发光设备。

背景技术：

发光二极管(LED)是为了交换信号或者用作光源，利用化合物半导体的特性将电能转换成红外线或光的一类半导体装置。

由于其物理和化学性质，作为发光装置如发光二极管(LED)或激光二极管(LD)的核心材料，Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体已是公众注意的中心。

由于这样的发光二极管不含有对环境有害的材料诸如用于现有照明设备(诸如白炽灯或荧光灯等)的汞(Hg)等，并且具有长寿命和低功耗，所以发光二极管是现有光源的替代物。

另一方面，当堆叠具有不同热膨胀系数的两个层时，这些层会产生例如剪切应力的各种应力。也就是，当传统发光器件封装中两层中的一层形成发光元件而两层中的另一层形成焊盘(pad)时，如果以200℃或更高的温度将焊盘接合到发光元件，发光器件与焊盘之间不同的热膨胀系数引起的残余应力导致产生早期故障和累积疲劳，这样会破坏发光器件封装。

技术实现要素：

技术问题

实施例提供一种释放应力并且具有可靠性的发光器件封装，以及包括该发光器件封装的发光设备。

技术方案

根据实施例的发光器件封装可以包括：发光器件，该发光器件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；第一引线框和第二引线框，布置成互相间隔开；第一焊接部和第二焊接部，分别布置在所述第一引线框和所述第二引线框上；以及第一焊盘和第二焊盘，分别布置在所述第一焊接部和第二焊接部与所述第一半导体层和第二半导体层之间，其中所述第一焊盘或第二焊盘中的至少一个可以包括圆角部分或倒角部分中的至少一个。

所述圆角部分可以包括圆角拐角或弯曲侧面中的至少一个，以及所述倒角部分包括倒角拐角或倾斜侧面中的至少一个。

所述第一焊盘和第二焊盘中的每个可以包括多个拐角，以及所述圆角拐角或倒角拐角可以包括在所述多个拐角之中位于离所述发光器件的中心最远处的拐角。

所述第一焊盘和第二焊盘中的每个可以包括多个侧面，所述弯曲侧面或者倾斜侧面可以包括在所述多个侧面之中位于离所述发光器件的中心最远处的侧面。

所述弯曲侧面可以包括至少一个转折点。

所述发光器件还可以包括第一接触层和第二接触层，分别布置在所述第一导电半导体层和第二导电半导体层与所述第一焊盘和第二焊盘之间。所述第一焊盘和所述第一接触层可以具有不同的热膨胀系数，所述第二焊盘和所述第二接触层可以具有不同的热膨胀系数。

所述第一焊盘可以通过穿过所述第二接触层、第二导电半导体层和有源层连接到所述第一导电半导体层，所述发光器件还可以包括布置在所述第一焊盘与所述第二接触层、第二导电半导体层和有源层中的每一个之间的绝缘层。所述绝缘层与所述第一焊盘和第二焊盘中的每个可以具有不同的热膨胀系数。

所述第一焊盘中包括的圆角部分的第一曲率半径可以不同于或等于所述第二焊盘中包括的圆角部分的第二曲率半径。

第一焊盘中包括的圆角部分的第一曲率半径可以等于、大于或小于所述第二焊盘中包括的圆角部分的第二曲率半径。

所述第一曲率半径或所述第二曲率半径可以是所述第一焊盘或所第二焊盘的一个边或者所述发光器件封装的一个边的0.2倍或更多。

所述第一焊盘中包括的圆角部分和所述第二焊盘中包括的圆角部分可以具有对称或非对称底面形状，所述第一焊盘中包括的倒角部分和所述第二焊盘中包括的倒角部分可以具有对称或非对称底面形状。

所述第一焊盘或所述第二焊盘中包括的所述圆角部分或者所述倒角部分可以具有关于所述发光器件的中心线的对称或非对称的底面形状或平面形状。

所述第一焊盘和第二焊盘可以布置在以发光器件的中心为中心的虚拟圆圈之内。

发光器件封装还可以包括形成空腔的封装体和模塑构件，所述发光器件布置在所述空腔中，所述模塑构件布置在在所述空腔中，包围和保护所述发光器件。

根据另一实施例的发光设备可以包括所述发光器件封装。

有益效果

根据实施例的发光器件封装和包括该封装的发光设备可以通过改变结合到发光器件的第一焊盘或第二焊盘中的至少一个的底部(或平面)形状来最小化应力而具有提高的可靠性。

附图说明

图1是根据实施例的发光器件封装的透视图。

图2是图1中示出的发光器件封装的部分剖视图。

图3是用于解释一般发光器件的应力的图表。

图4是根据比较示例的发光器件封装的第一焊盘、第二焊盘和衬底的仰视图。

图5A至图5F是根据实施例的发光器件的仰视图。

具体实施方式

在下文中，为了具体解释本发明将描述示意性实施例并且参照附图以帮助理解实施例。然而，实施例可以以不同的形式被改变，实施例的范围不应理解为局限于下面的说明。提供实施例旨在向本领域技术人员提供更完整的解释。

在实施例的说明中，应当理解，当每个元件称为在另一个元件“上方”或“下方”时，其可以直接在另一元件的“上方”或“下方”，或者在其间间接地形成有一个或更多介入元件。另外，也可以理解，在元件“上方”或“下方”可以指基于元件的向上方向和向下方向。

另外，在说明书和权利要求书中的相对术语“第一”和“第二”、“在上方/上部分/在上面”以及“在下面/下部分/在下方”等可以用于将一个装置或元件与另一个装置或元件区分开，不一定需要描述物体或元件之间的任何物理或逻辑关系或者特定的顺序。

在附图中，为了清楚和方便描述，可以夸大、省略或示意性地描述多个层的尺寸。另外，构成元件的尺寸不精确地反映实际尺寸。

图1是根据实施例的发光器件封装100的透视图，图2是图1中示出的发光器件封装100的部分剖视图。也就是，图2对应图1中示出的发光器件封装100从x轴方向所视的剖视图。

图1中示出的发光器件封装100可以包括封装体110、第一引线框122和第二引线框124、第一焊接部132和第二焊接部134、第一焊盘(或结合焊盘)142和第二焊盘(或结合焊盘)144、发光器件K和模塑构件190。

封装体110形成空腔(C)。例如，如图1和2所示，封装体110可以和第一引线框122和第二引线框124一起形成空腔C。也就是，封装体110的侧表面112和第一和第二引线框122和124的上表面122A和124A可以形成空腔C。但是，实施例对此不作限制。也就是，与示出的实例不同，空腔C可以仅由封装体110形成。封装体110可以由环氧树脂模塑料(EMC)等形成，但是本实施例不限制封装体110的材料。

第一引线框122和第二引线框124在垂直于发光结构170的厚度方向的y轴方向上可以互相间隔开。第一引线框122和第二引线框124中的每个可以由导电材料组成，例如金属，但是实施例不限制第一引线框122和第二引线框124中的每个的材料种类。绝缘层126可以布置在第一引线框122和第二引线框124之间以使第一引线框122和第二引线框124互相电绝缘。

而且，封装体110可以由诸如金属材料的导电材料形成并且第一引线框122和第二引线框124可以是封装体110的一部分。不过，即使在这种情况下，封装体110形成的第一引线框122和第二引线框124可以通过绝缘层126互相电绝缘。

第一焊接部132可以布置在第一引线框122上以电连接第一引线框122和第一焊盘142，第二焊接部134可以布置在第二引线框124上以电连接第二引线框122和第二焊盘144。第一焊接部132和第二焊接部134中的每个可以是焊料膏或者焊料球。

前述的第一焊接部132和第二焊接部134可以将发光器件K的第一导电半导体层172和第二导电半导体层176分别通过第一焊盘142和第二焊盘144连接到第一引线框122和第二引线框124，由此减小对导线的需要。

同时，发光器件K可以布置在空腔C内部。发光器件K可以分成下部分K1和上部分K2。发光器件K的下部分K1可以包括绝缘层152、154和156、第一接触层162和第二接触层164。发光器件K的上部分K2可以包括发光结构170和衬底180。

发光结构170可以布置在衬底180之下。衬底180可以包括导电材料或非导电材料。例如，衬底180可以包括蓝宝石(Al₂O₃)、GaN、SiC、ZnO、GaP、InP、Ga₂O₃、GaAs和Si中的至少一个。

为了改善衬底180与发光结构170之间的热膨胀系数差异和晶格失配，在衬底180与发光结构170之间可以进一步设置缓冲层(或过渡层)(未示出)。例如，缓冲层可以包括例如选自包含Al、In、N和Ga的组的至少一种材料，但不限于这些材料。另外，缓冲层可以具有单层或多层结构。

发光结构170可以包括第一导电半导体层172、有源层174和第二导电半导体层176。

第一导电半导体层172可以由掺杂有第一导电掺杂剂的III-V族或II-VI族化合物半导体形成。当第一导电半导体层172是n型半导体层时，第一导电掺杂剂可以包括Si、Ge、Sn、Se或Te作为n型掺杂剂，但不限于这些材料。

例如，第一导电半导体层172可以包括化学式为Al_xIn_yGa_(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1且0≤x+y≤1)的半导体材料。第一导电半导体层172可以包括选自GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、A1GaP、InGaP、A1InGaP或InP中的至少一种材料。

有源层174布置在第一导电半导体层172与第二导电半导体层176之间并且是这样一种层，在该层中通过第一导电半导体层172注入的电子(或空穴)与通过第二导电半导体层176注入的空穴(或电子)相遇以发射光，该光具有的能量由有源层174的组成材料的本征能带确定。有源层174可以形成为单阱结构、多阱结构、单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构或量子点结构的至少之一。

有源层174可以包括阱层和势垒层，该阱层和势垒层具有一对结构，该一对结构为InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAs(InGaAs)/AlGaAs和GaP(InGaP)/AlGaP中的任一个或多个，但不限于此。阱层可以由带隙能量低于势垒层的带隙能量的材料形成。

导电包覆层(未示出)可以形成在有源层174上方和/或下方。导电包覆层可以由带隙能量高于有源层174的势垒层的带隙能量的半导体形成。例如，导电包覆层可以包括GaN结构、AlGaN结构、InAlGaN结构或超晶格结构等。另外，导电包覆层可以掺杂有n型或p型掺杂剂。

根据实施例，有源层174能够发射在紫外线波段中的光。在本实施例中紫外线波段是指100nm至400nm的波段。尤其，有源层174可以发射在100nm至280nm波段中的光。但是，实施例不限制有源层174发射的光的波段。

第二导电半导体层176可以由化合物半导体形成。第二导电半导体层176可以由Ⅲ-V族或II-VI族化合物半导体形成。例如，第二导电半导体层176可以包括组成为Al_xIn_yGa_(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1且0≤x+y≤1)的半导体材料。第二导电半导体层176可以掺杂有第二导电掺杂剂。当第二导电半导体层176是p型半导体层时，第二导电掺杂剂可以包括Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等作为p型掺杂剂。

第一导电半导体层172可以实现为n型半导体层，第二导电半导体层176可以实现为p型半导体层。可选择地，第一导电半导体层172可以实现为p型半导体层，第二导电半导体层176可以实现为n型半导体层。

发光结构170可以实现为选自n-p结结构、p-n结结构、n-p-n结结构以及p-n-p结结构中的任何一种结构。

由于图1和图2所示的发光器件封装100具有倒装芯片接合结构，所以从有源层174发射的光穿过第一接触层162、第一导电半导体层172和衬底180发射。为此，第一接触层162、第一导电半导体层172和衬底180可由透光材料形成。此时，虽然第二导电半导体层176和第二接触层164可由具有透光性或非透光性或反射性的材料形成，实施例可以不限于具体的材料。下面将详细描述第一接触层162和第二接触层164中的每个的材料。

第一接触层162可以布置在第一导电半导体层172与第一焊盘142之间，以便于第一导电半导体层172与第一焊盘142互相电连接。在第一接触层162可以包括欧姆接触材料用作欧姆层的情况下，可以不需要单独的欧姆层(未示出)，或者单独的欧姆层可以布置在第一接触层162之上或之下。

第二接触层164可以布置在第二导电半导体层176与第二焊盘144之间，以便于第二导电半导体层176与第二焊盘144互相电连接。

第一接触层162与第二接触层164中的每个可以由能够反射或透射从有源层174反射的光而不是吸收光的任意材料形成，并且该材料能够高质量地生长在第一导电半导体层172和第二导电半导体层176上。例如，第一接触层162与第二接触层164可以由金属形成，并且由Ag、Ni、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf和其选择性组合形成。

尤其是，第二接触层164可以是透明导电氧化物(TCO)膜。例如，第二接触层164可以包括前述金属材料、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au以及Ni/IrOx/Au/ITO中的至少之一，但不限于这些材料。第二接触层164可以包括用于与第二导电半导体层176欧姆接触的材料。

另外，第二接触层164可以是具有反射电极材料的单层或多层结构，该反射电极材料具有欧姆特性。当第二接触层164起到欧姆层的作用时，可以不形成单独的欧姆层(未示出)。

同时，第一焊盘142可以布置在第一焊接部132与第一导电半导体层172之间，以便于第一焊接部132与第一导电半导体层172之间的互相电连接。如图1和2所示，尽管第一焊盘142可以实现为贯穿第二接触层164、第二导电半导体层176和有源层174以便于与第一导电半导体层172电连接的贯穿电极的形式，但是实施例不限于此。也就是，在另一实施例中，尽管未示出，但是第一焊盘142可以绕开第二接触层164、第二导电半导体层176和有源层174以由此与第一导电半导体层172电连接。

发光器件K的绝缘层152和154可以布置在第二接触层164与第一焊盘142之间以便于使第二接触层164与第一焊盘142电绝缘，并且可以布置在第二导电半导体层176与第一焊盘142之间以便于使第二导电半导体层176与第一焊盘142电绝缘，并且可以布置在有源层174与第一焊盘142以便于使第一焊盘142与有源层174电绝缘。

第二焊盘144可以布置第二焊接部134和第二导电半导体层174之间，以便于使第二导电半导体层174与第二焊接部134互相电连接。此时，尽管第二焊接部134可以实现为贯穿绝缘层154和156以便于与第二接触层164连接的贯穿电极的形式，但是实施例不限于此。也就是，在另一实施例中，第二焊盘144可以不穿过绝缘层154和156而与第二接触层164连接。

绝缘层152、154和156可以由透光绝缘材料诸如SiO₂、SiO_x、SiO_xN_y、Si₃N₄或Al₂O₃等形成，但是实施例不限于绝缘层152、154和156的这些材料。在本文中，尽管绝缘层152、154和156以分开的层示出，但是它们可以是一层。

第一焊盘142和第二焊盘144中的每一个可以包括电极材料。

同时，第一焊盘142与第一接触层162可以具有不同的热膨胀系数，第二焊盘144与第二接触层164可以具有不同的热膨胀系数。另外，第一焊盘142与绝缘层152和154可以具有不同的热膨胀系数，第二焊盘144与绝缘层154和156可以具有不同的热膨胀系数。由于发光器件K的下部分K1与第一和第二焊盘142和144之间的热膨胀系数差异，发光器件封装100会被应力化。

为了最小化或消除这样的应力，根据实施例，改变在发光器件封装100中的第一和第二焊盘142和144的形状，使得位于远离发光器件K中心处的拐角(或至少一部分侧面)的尖部分减少或消除。在下文中，参考附图描述该实施例。

图3是用于解释一般发光器件的应力的图表。在本文中，第一界面(界面1)是指发光器件的下部分K1与上部分K2之间的分界，第二界面(界面2)是指发光器件的下部分K1与第一和第二焊盘142和144之间的分界，第三界面(界面3)是指第一和第二焊盘142和144与第一和第二焊接部132和134之间的分界，第四界面(界面4)是指第一和第二焊接部132和134与第一和第二引线框122和124之间的分界。

参考图3，在第一界面(界面1)处，法向应力是56.8，剪切应力是36.2。而且，在第二界面(界面2)处，法向应力是81，剪切应力是79.2。另外，在第三界面(界面3)处，法向应力是34.9，剪切应力是36.9。而且，在第四界面(界面4)处，法向应力是62.8，剪切应力是22.9。应当注意，在第一至第四界面(界面1、2、3和4)中，在第二界面(界面2)处应力最大。原因是，如上所述，第一和第二焊盘142和144与层152、154、156、162和164之间的热膨胀系数差异最大。

在图3中，法向应力和剪切应力的方向由箭头示出。参考图3，可以看出位于远离发光器件K的中心的部分202和204中的应力大。为了解决这个问题，根据实施例的发光器件封装100的第一焊盘142或144中的至少一个可以包括圆角部分和倒角部分。

在下文中，将参考附图描述根据实施例的第一焊盘142或第二焊盘144中的至少一个包括的圆角部分或倒角部分。为方便起见，在图4和图5a至5f中示出的发光器件封装100A、100B、100C、100D、100E和100F之中，除了第一焊盘142和第二焊盘144、第一接触层162和衬底180之外的其他部件省略。

图4是根据比较示例的第一焊盘142、第二焊盘144和衬底180的仰视图。在本文中，C表示发光器件K的中心。

为方便起见，在图4和图5a至图5f中，假设第一焊盘142和第二焊盘144中的每个具有长方形底面(或平面)形状，但是实施例不限于此。也就是，第一焊盘142和第二焊盘144中的每个除了具有正方形底面形状之外可以具有各种底面形状。

参考图4，第一焊盘142可以包括四个侧面142-1、142-2、142-3和142-4和四个拐角C11、C12、C13和C14。而且，第二焊盘144可以包括四个侧面144-1、144-2、144-3和144-4和四个拐角C21、C22、C23和C24。

如果发光器件封装实现为如图4中示出的没有圆角部分或倒角部分，在第一至第四界面(界面1至4)中的应力，尤其是在第二界面(界面2)中的应力会变得更严重，如图3所示。为了避免这样，根据实施例，第一焊盘142或第二焊盘144中的至少一个可以包括以如下的各种形状在各种位置处的圆角部分或倒角部分。

图5A至图5F是根据实施例的发光器件封装100A、100B、100C、100D、100E和100F的仰视图。在本文中，附图标记160表示第一接触层162和第二接触层164，但是实施例不限制第一接触层162和第二接触层164的位置或底面(或平面)布局形状。在下面的描述中，图4中示出的第一焊盘142和第二焊盘144的拐角和侧面的附图标记可以参考图5a至图5f中示出的第一焊盘142和第二焊盘144的附图标记。

根据实施例，圆角部分可以包括圆角拐角或弯曲侧面中的至少一个。参考图5a，第一焊盘142的第一侧面142-1被示出为是弯曲的，并且第二至第四侧面142-2、142-3和142-4以直线示出。但是，第二至第四侧面142-2、142-3和142-4中的至少一个可以是弯曲的。另外，尽管第二焊盘142的第三侧面144-3是弯曲的，并且第一、第二和第四侧面144-1、144-1和144-4以直线示出，但是第一、第二和第四侧面144-1、144-2和144-4中的至少一个可以是弯曲的。也就是，第一焊盘142可以包括第一弯曲侧面142-1作为圆角部分R1，第二焊盘144可以包括第三弯曲侧面144-3作为圆角部分R2。

参考图5b，第一焊盘142的第一拐角C11和第四拐角C14是圆角的，并且第二焊盘144的第二拐角C22和第三拐角C23是圆角的。也就是，第一焊盘142可以包括第一圆角C11和第四圆角C14作为圆角部分R3和R4，并且第二焊盘144可以包括第二圆角C22和第四圆角C23作为圆角部分R5和R6。

类似地，参考图5C，第一焊盘142的第一圆角C11和第四圆角C14是圆角的，并且第二焊盘144的第二圆角C22和第三圆角C23是圆角的。也就是，第一焊盘142和可以包括第一圆角C11和第二圆角C14作为圆角部分R7和R8，并且第二焊盘144可以包括第二圆角C22和第三圆角C23作为圆角部分R9和R10。在图5c中示出的圆角部分R7至R10可以具有比图5b中示出的圆角部分R3至R6更大的曲率半径。

参考图5d，第一焊盘142的第一拐角C11和第四拐角C14是圆角，第二焊盘144的第二拐角C22是圆角。也就是，第一焊盘142可以包括第一圆角拐角C11和第四圆角拐角C14作为圆角部分R11和R12，第二焊盘144可以包括第二圆角拐角C22作为圆角部分R13。

根据实施例，圆角部分的弯曲侧面可以具有至少一个转折点。例如，参考图5a，第一焊盘142的第一弯曲侧面142-1可以具有两个转折点P1和P2，第二焊盘144的第三弯曲侧面144-3可以仅具有一个转折点P3。但是，实施例不限于此。也就是，根据另一实施例，第一焊盘142或第二焊盘144中的至少一个的弯曲侧面可以具有三个或更多的转折点。

另外，第二焊盘144中包括的第一焊盘142和圆角部分可以具有对称底面形状(或对称平面形状)或者非对称底面形状(或者非对称平面形状)。在本文中，第一焊盘142中包括的圆角部分和第二焊盘144中包括的圆角部分可以具有关于第一中心线CL1或第二中心线CL2中的至少一个对称或非对称底面形状(或者平面形状)。第一中心线CL1和第二中心线CL2穿过发光器件K的中心，以直角互相交叉，并且在垂直于发光器件K的厚度方向的方向上延伸。

另外，倒角部分可以包括倾斜(或倒角)拐角或倾斜侧面中的至少一个。参考图5e，第一焊盘142的第一拐角C11和第四拐角C14和第二焊盘144的第二拐角C22和第三拐角C23以倒角示出。换言之，第一焊盘142可以包括拐角C11和C14的倒角部分作为倒角部分CH1和CH2，第二焊盘144可以包括第二拐角C22和第三拐角C23的倒角部分作为倒角部分CH3和CH4，但是实施例不限于此。

参考图5f，第一焊盘142的第一拐角C11和第四拐角C14和第二焊盘144的第二拐角C22以倒角示出。也就是，第一焊盘142可以包括第一拐角C11和第四拐角C14的倒角部分作为倒角部分CH5和CH6，第二焊盘144可以包括第二拐角144的倒角部分作为倒角部分CH7，但是实施例不限于此。

另外，第一焊盘142中包括的倒角部分和第二焊盘144中包括的倒角部分具有对称底面形状(或对称平面形状)或者非对称底面形状(或者非对称平面形状)。在本实施例中，第一焊盘142中包括的倒角部分和第二焊盘144中包括的倒角部分可以具有关于第一中心线CL1或第二中心线CL2中的至少一个对称或非对称的底面形状(或者平面形状)。

作为图5a至图5f示出的示例，当发光器件K的厚度方向是z-轴方向时，第一中心线CL1与沿x-轴(与z-轴正交)延伸并且穿过中心C的线对应，第二中心线CL2与沿y-轴(与z-轴正交)延伸并且穿过中心C的线对应，但是实施例不限于此。换言之，第一中心线CL1可以与沿y轴延伸的线对应，第二中心线CL2可以与沿x轴延伸的线对应。以这种方式，第一中心线CL1和第二中心线CL2互相正交。在本文中，x-轴、y-轴和z-轴可以互相正交或者可以是互相交叉的坐标轴。

例如，如图5a中示出的示例，第一焊盘142的圆角部分R1和第二焊盘144的圆角部分R2可以具有关于第一中心线CL1的非对称底面形状(或非对称平面形状)。另外，如图5d和图5f示出的示例，第一焊盘142的圆角部分R11和R12(或者倒角部分CH5和CH6)和第二焊盘144的圆角部分R13(或者倒角部分CH7)具有关于第一中心线CL1非对称的底面形状(或平面形状)。

可选择地，如图5b或图5e中示出的示例，第一焊盘142中包括的圆角部分R3和R4(或者倒角部分CH1和CH2)和第二焊盘144中包括的圆角部分R5和R6(或者倒角部分CH3和CH4)可以具有关于第一中心线CL1对称的底面形状。进一步地，如图5c中示出的示例，第一焊盘142中包括的圆角部分R7和R8和第二焊盘144中包括的圆角部分R9和R10可以是关于第一中心线CL1对称的底面形状(或平面形状)。

进一步地，如图5c中示出的示例，第一焊盘142和第二焊盘144可以布置在以发光器件K的中心C为中心的虚拟圆圈210内。在这种情况下，第一焊盘142中包括的圆角部分R7和R8的第一曲率半径等于第二焊盘144中包括的圆角部分R9和R10的第二曲率半径。但是，根据另一实施例，第一曲率半径和第二曲率半径可以互相不同。例如，如图5a所示，第一焊盘142中包括的圆角部分R1的第一曲率半径可以与第二焊盘144中包括的圆角部分R2的第二曲率半径不同。

进一步地，第一焊盘142中包括的圆角部分的第一曲率半径可以等于或大于或小于第二焊盘144中包括的圆角部分的第二曲率半径。例如，如图5a中示出的示例，第一焊盘142中包括的圆角部分R1的第一曲率半径可以小于第二焊盘144中包括的圆角部分R2。

此外，第一焊盘142中包括的圆角部分的第一曲率半径或第二焊盘142中包括的圆角部分的第二曲率半径可以是第一焊盘142或第二焊盘144的一个边(或者发光器件封装的一个边L1或L2，尤其是，L1)的0.2倍或更多。例如，当第一焊盘142或第二焊盘144的一个边(L1或L2)的长度是300μm时，第一曲率半径或第二曲率半径中的至少一个可以是60μm或更多。

另外，第一焊盘142和第二焊盘144中的每个中包括的圆角部分(或倒角部分)可以具有关于发光器件K的第二中心线CL2的对称底面形状或非对称底面形状(或平面形状)。

例如，如图5a所示，第一焊盘142中包括的圆角部分R1可以是关于第二中心线CL2对称的，第二焊盘144中包括的圆角部分R2可以是关于第二中心线CL2对称的。

而且，如图5b或图5e中的示例所示，第一焊盘142中包括的圆角部分R3和R4(或者倒角部分CH1和CH2)可以是关于第二中心线CL2对称的，第二焊盘144中包括的圆角部分R5和R6(或者倒角部分CH3和CH4)可以是关于第二中心线CL2对称的。

进一步地，如图5c中的示例所示，第一焊盘142中包括的圆角部分R7和R8可以是关于第二中心线CL2对称的，第二焊盘144中包括的圆角部分R9和R10可以是关于第二中心线CL2对称的。

但是，如图5d或5f中的示例所示，第一焊盘142中包括的圆角部分R11和R12(或者倒角部分CH5和CH6)可以是关于第二中心线CL2对称的，第二焊盘144中包括的圆角部分R13(或者倒角部分CH7)可以是关于第二中心线CL2不对称的。

另外，假设图4中示出的第一焊盘142的第一平面面积和第二焊盘144的第二平面面积的总数是100％，第一焊盘142或第二焊盘144中的至少一个的形状可以改变使得根据实施例的第一焊盘142的第一平面面积和第二焊盘144的第二平面面积的总数是65％至95％。

例如，在发光器件封装100A的第一焊盘142和第二焊盘144实现为如图5a所示的情况下，第一焊盘142和第二焊盘144的第一平面面积和第二平面面积的总数是图4中示出的第一平面面积和第二平面面积的总数的65％。

另外，当发光器件封装100B和100E的第一焊盘142和第二焊盘144实现为如图5b或图5e所示时，第一焊盘142和第二焊盘144的第一平面面积和第二平面面积的总数是图4中示出的第一平面面积和第二平面面积的总数的90％。

另外，当发光器件封装100C的第一焊盘142和第二焊盘144实现为如图5c所示时，第一焊盘142和第二焊盘144的第一平面面积和第二平面面积的总数是图4中示出的第一平面面积和第二平面面积的总数的88％。

另外，当发光器件封装100D和100F中的每个的第一焊盘142和第二焊盘144实现为如图5d或图5f所示时，第一焊盘142和第二焊盘144的第一平面面积和第二平面面积的总数是图4中示出的第一平面面积和第二平面面积的总数的95％。

参考图5a至图5f，在多个拐角C11至C14和C21至C24中，圆角或倒角C11、C14、C22和C23可以包括位于离发光器件K的中心最远处的拐角。这是因为如以上在图3中所描述的，随着离发光器件K的中心C的距离增大，发光器件受到的剪切应力会增大。当位于离发光器件K的中心C更远处的边(或边的一部分)或拐角中的至少一个形成为圆角形状或倒角形状时，可以最小化(或去除)图3中示出的应力。

同时，参考图1和图2，参考图1和图2，发光器件封装100的模塑构件190可以包围和保护发光器件K。例如，模塑构件190可以由硅(Si)形成并且含有磷光体，因此能够改变从发光器件K发射的光的波长。尽管磷光体可以包括从YAG基、TAG基、硅酸盐基、硫化物基以及氮化物基的波长改变材料中选择的磷光体，这些波长改变材料能够将发光器件K发出的光改变成白光，但是实施例不限于这些种类的磷光体。

YAG基和TAG基磷光体可以从(Y、Tb、Lu、Sc、La、Gd、Sm)3(Al、Ga、In、Si、Fe)5(O、S)12:Ce中选择，硅酸盐基磷光体从(Sr、Ba、Ca、Mg)2SiO4:(Eu、F、Cl)中选择。

另外，硫化物基磷光体可以从(Ca、Sr)S:Eu和(Sr、Ca、Ba)(Al、Ga)2S4:Eu中选择，氮化物基磷光体可以从(Sr、Ca、Si、Al、O)N:Eu(例如，CaAlSiN4:Eu、β-SiAlON:Eu)或Ca-αSiAlON：Eu基的(Cax、My)(Si、Al)12(O、N)16(在本实施例中，M是Eu、Tb、Yb或Er中的至少一个，并且0.05<(x+y)<0.3，0.02<x<0.27以及0.03<y<0.3)。

红色磷光体可以是包括氮(例如，CaAl SiN3:Eu)的氮化物基的磷光体。与硫化物基的磷光体相比，氮化物基的红色磷光体在抵抗诸如热量、水分等外部环境方面具有更高的可靠性。

通常，当具有不同热膨胀系数的两个层层叠时，会产生各种应力，如图3所示。也就是，当第一焊盘142和第二焊盘144以200℃或更高的温度接合到发光器件K的下部分K1时，这些部分(K1、142、144)不同的热膨胀系数引起的残余应力会产生早期故障和累积疲劳，使得发光器件会损坏。

因此，根据实施例，通过改变第一焊盘142或第二焊盘144中的至少一个的底面(或平面)形状，可以最小化发光器件封装100、100A至100D、100E和100F受到的应力，可靠性能够得以提高。

在根据实施例的发光器件中，在基板上可以布置多个发光器件封装的阵列，并且在发光器件封装的光的路径上可以布置包括导光板、棱镜片或扩散片等的光学构件。发光器件封装、基板以及光学构件可以用作背光单元。

另外，根据实施例的发光器件封装可以包括在发光设备中，例如显示设备、指示器设备或照明设备。

在本文中，显示设备可以包括：底盖；反射板，布置在底盖上：发光模块，配置成发射光：导光板，布置在反射板的前面以向前引导从发光模块发射的光：光学片，包括布置在导光板的前面的棱镜片：显示面板，布置在光学片的前面：图像信号输出电路，连接至显示面板以将图像信号提供给显示面板：以及滤色镜，布置在显示面板的前面。在本实施例中，底盖、反射板、发光模块、导光板以及光学片可以形成背光单元。

另外，照明设备可以包括：光源模块，包括基板和根据实施例的发光器件封装：散热器，配置成消散光源模块的热量：以及电源单元，配置成处理或转换从外部分提供的电信号并将处理或转换的电信号提供到光源模块。例如，照明设备可以包括电灯、车头灯或路灯。

车头灯可以包括：发光模块，包括布置在基板上的发光器件封装：反射器，配置成沿预定方向，例如，沿向前方向反射从发光模块发射的光：透镜，配置成沿向前方向折射从反射体反射的光：以及遮光片，配置成阻挡或反射从反射体反射并被指引至透镜的光的一部分，使得形成设计人员期望的光分布图案。

虽然目前为止已经参考示例性实施例特别地示出和描述了本发明，但是这些实施例仅是本发明的示例并且不用于限制本发明。应当理解，在不偏离本实施例的实质范围的幅度之内本领域技术人员可以做出到目前为止没有描述的各种修改和应用。例如，在实施例中具体示出的各部件可以被修改和实现。并且，与这些变化和应用相关的不同应该被解释为在所附权利要求现在的本发明的范围之内。

发明实施方式

已经以最佳方式描述了用于实施本发明的各实施例。

工业可应用性

根据实施例的发光器件可以包括在诸如显示设备、指示器设备和照明设备等的发光设备中。发光设备可以应用于需要光源的车辆等。