技术编号:6868668
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于将分子结构化涂覆到印制导线上的方法,以及涉及一种分子存储矩阵。在分子电子学中公知诸如“纳米隙方法(Nanogap-Methode)”(C.Li、H.He、N.J.Tao,Applied Physics Letters 77,3995(2000年))以及“断裂结方法(Break-Junction-Methode)”(M.A.Reed、C.Zhou、C.J.Muller、T.P.Burgin和J.M.Tour,Scienee 278,252(...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。