技术编号:6869520
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种嵌入式非易失存储器(Non-Volatile Memory;NVM)元件之制造方法,特别涉及一种改善嵌入式非易失存储器元件擦除之制造方法。背景技术 在半导体晶片内制造具有分离栅极(Split Gate)特征之非易失存储晶胞(Cell)时,擦除效率与浮置栅极(Floating Gate)及控制栅极(Control Gate)之间的内多晶硅氧化物(Inter-Poly Oxide)之厚度相关。回蚀刻工艺可减少浮置栅极上之内多晶硅氧化物的厚度,但会...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。