技术编号:6869839
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种鳍型场效应晶体管(FinFET)的制造方法,该方法通过改变鳍状物(fin)关于栅导体的角度来增加FinFET的鳍状物的长度,并通过提高鳍状物的密度来避免上述成角的鳍状物造成FinFET阵列尺寸的增加。背景技术 鳍型场效应晶体管“FinFET”是一种具有由栅导体所覆盖的鳍状物的晶体管。上述栅导体覆盖鳍状物的沟道部分,而鳍状物的源和漏部分延伸超出上述栅导体所覆盖的部分。授予胡(Hu)等人的美国专利第6,413,802号详细地讨论了FinFET,在...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。