技术编号:6869982
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。背景技术 吸杂(gettering)是从半导体晶片的有源电路区去除器件退化杂质的工艺。如此,吸杂有助于提高VLSI制造的产率。一般,存在三种通过其从半导体衬底的器件区去除杂质的吸杂机制。一种机制涉及析出杂质。另一种机制涉及将杂质扩散通过硅,且再一种机制涉及将杂质(例如金属原子)俘获在远离器件区的区域中的比如位错或析出物的缺陷中。吸杂机制可以被分为两种一般类型外因(extrinsic)和内因(intrinsic)。外因吸杂指的是使用外部技术以...
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