技术编号:6870231
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术 众所周知,闪存和铁电存储器是非易失性存储器,即使在切断电源之后也能够存储信息。在非易失性存储器中,闪存包括嵌入绝缘栅场效应晶体管(IGFET)的栅极绝缘膜中的浮动栅极,并通过在该浮动栅极中积累指示记录信息的电荷而存储信息。但是,这种闪存的缺点在于,在写入和擦除信息时,需要较高的电压使隧道电流流至栅极绝缘膜。另一方面,铁电存储器,也称为FeRAM(铁电随机存取存储器),通过利用设置于铁电电容器中的铁电膜的磁滞特性存储信息。铁电膜响应电容...
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