技术编号:6870677
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有双介质埋层的SOI功率器件,属于半导体功率器件,它特别涉及SOI(Semiconductor On Insulator)功率器件耐压。背景技术 具有SOI(Silicon on Insulator)结构的功率器件(简称SOI功率器件)具有更高的工作速度和集成度、更好的绝缘性能、更强的抗辐射能力以及无可控硅自锁效应,因此SOI功率器件在VLSI领域的应用得到广泛关注。SOI功率器件的击穿电压取决于横向击穿电压和纵向击穿电压的较低者。SOI功率器件的横向耐...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。